光电薄膜（一）（2020年10月整理）.pdfVIP

光电薄膜 物质在受到光照以后，往往会引发某些电性质的变化，亦称光电效应。光电 效应主要有光电导效应、光生伏特效应和光电子发射效应3 种。 物质受光照射作用时，其电导率产生变化的现象，称为光电导效应。如果光 照射到半导体的p-n 结上，则在p-n 结两端会出现电势差，p 区为正极，n 区为 负极，这一电势差可以用高内阻的电压表测量出来，称为光生伏特效应。当金属 或半导体受到光照射时，其表面和体内的电子因吸收光子能量而被激发，如果被 激发的电子具有足够的能量，足以克服表面势垒而从表面离开，产生了光电子发 射效应。前两种效应在物体内部发生，统称为内光电效应，它一般发生于半导体 中。光电子发射效应产生于物体表面，又称为外光电效应，它主要发生于金属或 半导体中。 光电导薄膜材料包括：Ge 和Si 单晶及以它们为基础的掺杂体；化合物半导 体有CdS,CdSe,CdTe,ZnSe,HgSe,HgTe,PbS,PbSe,InP,InAs,InSb,GaAs,GaSb 等。 在半导体薄膜中硅薄膜是最重要的一种。硅薄膜按结晶结构可分为单晶、多 晶和非晶。其中单晶硅薄膜广泛的用于制造各种半导体器件和集成电路。多晶硅 薄膜则在一些半导体器件、集成电路及太阳能电池中得到了广泛的应用