半导体物理器.pptVIP

第一章 半导体物理基础;1、本课程的主要内容 研究由不同半导体材料组成半导体器件时，载流子的运动规律和电压-电流等电学特性。 方法： 1）分析半导体器件时，应先将整个器件分为若干个区。 2）给出边界条件。 3）求解出各个区中的少子浓度分布、少子浓度梯度分布、电场分布、电势分布、电流密度分布等，最终求得器件的各个端电流。 ;1.1半导体中的电子状态;1.2载流子的统计分布;1.2载流子的统计分布;1.2载流子的统计分布;习题;1.2载流子的统计分布;1.2载流子的统计分布;1.2载流子的统计分布;1.2载流子的统计分布;1.3简并半导体;习题;1.4载流子的散射;声学波;2.载流子的散射;1.5载流子的输运;1.5载流子的输运;1.5载流子的输运;1.5载流子的输运;1.5载流子的输运;1.5载流子的输运;1.6非平衡载流子;1.6非平衡载流子;1.6非平衡载流子;1.6非平衡载流子;1.6非平衡载流子;1.6非平衡载流子;1.6非平衡载流子; 分析半导体器件时，应先将整个器件分为若干个区，然后在各个区中视具体情况对基本方程做相应的简化后进行求解。求解微分方程时还需要给出 边界条件。扩散方程的边界条件为边界上的少子浓度与外加电压之间的关系。于是就可以将外加电压作为已知量，求解出各个区中的少子浓度分布、少子浓度梯度分布、电场分布、电势分布、电