半导体存储器-数字电路.pptVIP

第七章 半导体存储器;分类：;;D3;二、可编程只读存储器PROM;16字×8位的PROM;三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM）;2.使用叠栅注入MOS管SIMOS (Stacked-gate Injuction MOS);这是一种双译码方式，行地址译码器和列地址译码器共同选中一个单元。每个字只有一位。;写入（写0）;快闪存储器就是针对此缺点研制的。;存储单元的工作原理：;第三节 随机存储器（RAM）;（二）静态RAM的存储单元; 利用MOS管栅极电容可以暂存电荷的原理制成。因此，存储单元简单，存储容量大。但栅极电容很小，由于漏电的影响，电容电荷保存时间很短。必须定时给电容充电－－刷新、再生。这就需要外围电路配合。;第四节 存储器容量的扩展;二、字扩展方式;;第五节 用存储器实现组合逻辑函数;不可编程;1024字×4位（2114）;六管静态存储单元;字扩展