半导体材料-硅和锗的化学制备.pptxVIP

第一章 硅和锗的化学制备 1.1 硅和锗的物理化学性质;;;;SiCl4、SiHCl3、SiH4的物理化学特性见表1.2;SiCl4 SiHCl3;2、Si,Ge高温下可与H2O、O2反应;5、SiH4特性： 　　(a) 活性高，空气中自然，固态硅烷与液氧混合在-190℃低温下也 　　易发生爆炸.;; 1.2 高纯硅的制备;化学提纯制备高纯硅的方法： 1、SiHCl3氢还原法 优点：产量大、质量高、成本低，是目前国内外制取高纯硅的主要方法。 2、SiH4法 优点：有效除去硼和金属杂质、无腐蚀性、不需要还原剂、分解温度低和收 益高，是有前途的方法。 缺点：易爆炸，不安全。 3、SiCl4氢还原法——硅收益低，不常用。 但在Si外延生长中有使用SiCl4做Si源。 ; 1.2.1三氯氢硅氢还原法;二、SiHCl3的制备 原料：干燥的HCl气体和硅粉（工业硅） ;SiHCl3+H2+309.2kJ/mol;为了减少副产物，生产中要控制： （1）反应温度280-300℃。 （2）向反应炉中通一定量的H2，H2/HCl=1/3-5之间。 （3）硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥，并且硅粉的粒度控制在 0.18-0.12mm。 （4）合成时加入少量催化剂（铜、银、镁合金），