发光与光电耦合器.pptVIP

第6章 发光器件与光电耦合器件 ;6.1 发光二极管的基本工作原理与特性 ;1. PN结注入发光 ;2. 异质结注入发光 ;6.1.2 基本结构 ;2. 边发光二极管 ;6.1.3 LED的特性参数 ; 因为短波光比长波更容易被吸收,所以与峰值波长相对应的光子能量比禁带宽度所对应的光子能量小些. 例如GsAs的峰值波长出现在1.1eV，比室温下的禁带宽度少0.3eV。图6-5给出了GaAs0.6Po.4 和GaP的发射光谱。当GaAs1—xPx中的x值不同时，峰值波长在620～680nm之间变化，谱线半宽度大致为 20～30nm。GaP发红光的峰值波长在700nm附近，半宽度大约为100nm。 峰值光子的能量还与温度有关，它随温度的增加而减少。在结温上升时，谱带波长以0.2~0.3nm/℃的比例向长波方向移动。 发光二极管发射的光通量与输人电能之比表示发光效率，单位lm/W；也有人把光强度与注入电流之比称为发光效率，单位为cd／A（坎/安）。GaAs红外发光二极管的发光效率由输出辐射功率与输入电功率的百分比表示。 ; 发光效率由内部量子效率与外部量子效率决定。内部量子效率在平衡时，电子-空穴对的激发率等于非平衡载流子的复合率（包括辐射复合和无辐射复合），而复合率又分别决定于载流子寿命τr和τrn，其中辐射复合率与1/τr成正比，无辐射复合