IGBT模块认证测试规范V2.0解读.docxVIP

if?/*深圳巾英城膊电气股份有限公司 I Wf INVt LLLL I HIL L(J.. LtU. 测试部测试规范 英威腾电气股份有限公司 测试部 规范编码： 版 本：V2.0 密 级：机密 生效日期：2011.3 页 数：40页 IGBT模块认证测试规范 拟 制：_ 张广文 —日 期： 2011-03-07 审 核： 姜明 日 期： 批 准：_ 董瑞勇 —H 期： lf\Vt 更改信息登记表 规范名称：IGBT模块认证测试规范 规范编码: 版本 更改原因 更改说明 更改人 更改时间 V2.0 规范升级 新拟制测试项目，升级原测 试项目内容及标准。 张J文 2011.3.7 评审会签区: 人员 签名 意见 日期 董瑞勇 吴建安 唐益宏 林金良 张波 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 目的 4 \o Current Document 范围 4 \o Current Document 定义 4 \o Current Document 引用标准 5 \o Current Document 测试设备 6 \o Current Document 测试环境 6 \o Current Document 测试项目 7 7.1规格参数比对 7 \o Current Document 7.2封装结构测试 8 \o Current Document 7.2.1封装外观检查 8 \o Current Document 7.2.2封装外形尺寸测试 9 \o Current Document 7.2.3基板平整度测试 9 7.2.4封装内部结构测试 11 7.3晶体管电特性测试 12 \o Current Document 7.3.1集-射极耐压 VCES测试 13 \o Current Document IGBT集-射极饱和压降 VCE(sat)测试 14 \o Current Document IGBT栅-射极阀值电压 VGE(th)测试 15 \o Current Document IGBT内置二极管正向压降 VF测试 16 Ices 和 IR 测试 17 \o Current Document 7.5绝缘耐压测试 19 \o Current Document 7.6高温电应力老化测试 20 \o Current Document 7.7高低温老化测试 21 \o Current Document 7.8 NTC热敏电阻特性测试 22 \o Current Document 7.9驱动波形测试 23 7.9.1驱动波形质量测试 23 \o Current Document 7.9.2开通关断时间测试 25 \o Current Document 7.9.3驱动电压幅值测试 27 \o Current Document 7.9.4死区时间测试 28 \o Current Document 7.10限流测试 29 \o Current Document 7.11均流测试 30 \o Current Document 7.12短路测试 31 \o Current Document 7.13温升测试 35 7.14 IGBT晶元结温测试 37 \o Current Document 数据记录及报告格式 41 深蜩中荚8M8电与膻倒有酝公司 SHLNZMLN tNVT LLL￡ I HIL LCk, LtU. IGBT模块认证测试规范 1.目的 检验IGBT模块各项性能指标是否满足标准和产品设计要求。 本规范主要从IGBT 结构、电气性能、可靠性等方面全面评估 IGBT模块各项性能指标。 范围 本规范规定的IGBT模块性能测试方法，适用于英威腾电气股份有限公司 IGBT 模块器件选型认可及产品开发过程中 IGBT模块单体性能测试。 定义 绝缘栅双极型晶体管 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）:是由BJT（双极型三 极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 ， 兼有MOSFET的高输入阻抗和 GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降 低，载流密度大，但驱动电流较大。 MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导 通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压 降低。 IGBT伏安特性：指以栅源电压 Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关 系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR 的输出特性相似，分为饱和区、放大区和击穿