缓启动电路原理.pdfVIP

。 -48V 电源缓启动原理 2012 年 02 月 17 日 星期五 15:51 现在大多数电子系统都要支持热插拔功能， 所谓热插拔， 也就是在系统正常工作 时，带电对系统的某个单元进行插拔操作，且不对系统产生任何影响。 热插拔对系统的影响主要有两方面： 其一，热插拔时， 连接器的机械触点在接触瞬间会出现弹跳， 引起电源振 荡，如下图所示： 这个振荡过程会引起系统电源跌落， 引起误码， 或系统重启， 也可能会引 起连接器打火，引发火灾。 解决的办法就是延迟连接器的通电时间，在连接器抖动的那十几毫秒内 ((t1 至 t2) 不给连接器通电，等插入稳定后 (t2 后 ) 再通电，即防抖动延时。 其二，热插拔时， 由于系统大容量储能电容的充电效应， 系统中会出现很 大的冲击电流，大家都知道，电容在充电时，电流呈指数趋势下降 ( 左下图 ) ，所 以在刚开始充电的时候，其冲击电流是非常大的。 此冲击电流可能会烧毁设备电源保险管，所以在热插拔时必须对冲击 电流进行控制，使其按理想的趋势变化，如右上图所示，图中 0~t1 为电源缓启 动时间。 综上所述，缓启动电路主要的作用是实现两项功能： 1). 防抖动延时上电； 精选资料，欢迎下载 。 2). 控制输入电流的上升斜率和幅值。 缓启动电路有两种类型：电压斜率型和电流斜率型。 电压斜率型缓启动电路结构简单，但是其输出电流的变化受负载阻抗的影响较 大，而电流斜率型缓启动电路的输出电流变化不受负载影响， 但是电路结构复杂。 下面重点介绍电压型缓启动电路。 设计中通常使用 MOS管来设计缓启动电路的。 MOS管有导通阻 抗 Rds低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件就可以构成缓慢启动电路。 通常情况下，在正电源中用 PMOS，在负电源中使用 NMOS。 下图是用 NMOS搭建的一个 -48V 电源缓启动电路， 我们来分析下 缓启动电路的工作原理。 1).D1 是嵌位二极管，防止输入电压过大损坏后级电路； 2).R2 和 C1的作用是实现防抖动延时功能，实际应用中 R2一般选 20K 欧姆， C1选 4.7uF 左右； 3).R1 的作用是给 C1提供一个快速放电通道，要求 R1 的分压值大 于 D3 的稳压值，实际应用中， R1一般选 10K左右； 4).R3 和 C2用来控制上电电流的上升斜率， 实际应用中， R3一般选 200K 欧姆左右， C2取值为 10 nF~100nF； 5).R4 和 R5的作用是防止 MOS管自激振荡， 要求 R4、R5lt;lt;R3 ， R4取值一般为 10～50 欧姆之间， R5一般为 2K 欧姆； 6). 嵌位二极管 D3 的作用是保护 MOS管 Q1 的栅- 源极不被高压击穿； D2 的 作用是在 MOS管导通后对 R2、C1 构成的防抖动延时电路和 R3、C2构成的上电斜 率控制电路进行隔离，防止 MOS栅极充电过程受 C1 的影响。 下面来分析下该电路的缓启动原理： 假设 MOS管 Q1 的栅- 源极间的寄生电容为