研究应用性实验报告晶体的电光效应.docVIP

基础物理试验研究性汇报 晶体电光效应 院系 仪器科学和光电工程学院 作者 张海霞 胡笛 目录TOC \o 1-3 \h \z \u 摘要 - 3 - 关键字 - 3 - 试验要求 - 4 - 试验原理 - 4 - 1.电光晶体和泡克尔斯效应 - 4 - 2 电光调制原理 - 5 - (1) 横向调制试验 - 6 - (2) 直流偏压对输出特征影响 - 8 - 试验仪器 - 10 - 试验步骤 - 10 - 1 调整光路 - 10 - 2 电光调制器T—V工作曲线测量 - 11 - 3 动态法观察调制器性能 - 11 - 数据统计和处理 - 12 - 原始数据表格 - 12 - T—V工作曲线数据表 - 12 - T—V工作曲线 - 13 - 数据处理 - 14 - 误差分析及改善方法 - 14 - 试验思索题 - 15 - 试验总结 - 16 - 摘要 激光是一个光频电磁波，含有良好相干性，和无线电波相同，可用来作为传输信息载波。激光含有很高频率（约1013~1015Hz），可供利用频带很宽，故传输信息容量很大。可见光含有极短波长和极快传输速度，加上光波独立传输特征，能够借助光学系统把一个面上二维信息以很高分辨率瞬间传输到另一个面上，为二位并行光信息处理提供条件。所以激光是传输信息一个很理想光源。 一些晶体在外电场作用下折射率会发生改变，这种现象称为电光效应。 电光效应在工程技术和科学研究中有很多关键应用，它有很短响应时间（能够跟上1010Hz电场改变），能够在高速摄影中作快门或在光速测量中作光束斩波器等。在激光出现以后，电光效应研究和应用得到快速发展，电光器件被广泛应用在激光通讯，激光测距，激光显示和光学数据处理等方面。 本文对晶体电光效应试验原理、步骤、仪器进行了简明介绍，并对试验数据进行处理和误差估算。经过分析试验室条件下误差产生原因并进行正确计算，对比探究了极值法测半波电压和调制法测半波电压，并做出比较分析。另外，针对试验中误差产生原因提出了自己提议和改善方法。 关键字 电光效应，激光，双折射，半波电压，电光系数 试验要求 掌握晶体电光调制原理和试验方法； 了解电光效应引发晶体光学性质改变，观察会聚偏振光干涉现象； 学习测量晶体半波电压和电光常数试验方法。 试验原理 1.电光晶体和泡克尔斯效应 一些晶体（固体或液体）在外加电场中，伴随电场强度改变，晶体折射率会发生改变，这种现象称为电光效应。通常将电场引发折射率改变用下式表示： （1） 式中a和b为常数，n0为E0=0时折射率。由一次项aE0引发折射率改变效应，称为一次电光效应。也称线性电光效应或普克尔电光效应；由二次项引发折射率改变效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔效应（Kerr）。由（1）式可知，一次电光效应只存在于不含有对称中心晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。光在各向异性晶体中传输时，因光传输方向不一样或是电矢量振动方向不一样，光折射率也不一样。 本试验关键研究铌酸锂晶体一次电光效应，用铌酸锂晶体横向调制装置测量晶体半波电压及电光系数，并用两种方法改变调制器工作点，观察对应输出特征。 电光效应在工程技术和科学研究上有很多关键应用，它又很短响应时间（能够跟上1010Hz电场改变），能够在高速摄影中做快门或在光速测量中做光束斩波器等。在激光出现后，电光效应研究和应用得到快速发展，电光器件被广泛应用在激光通信，激光测距，激光显示和光学数据处理等方面。 电光效应依据施加电场方向和通光方向相对关系，可分为纵向电光效应和横向电光效应。利用纵向电光效应调制，叫做纵向电光调制；利用横向电光效应调制，叫做横向电光调制。晶体一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。把加在晶体上电场方向和光在晶体中传输方向平行时产生电光效应，称为纵向电光效应，通常以KD*P?类型晶体为代表。加在晶体上电场方向和光在晶体里传输方向垂直时产生电光效应，称为横向电光效应 ，以晶体LiNbo3为代表。本试验观察横向电光效应常见铌酸锂类型晶体。晶体坐标轴图 本试验关键研究铌酸锂晶体一次电光效应，用铌酸锂横向调制装置测量警惕半波电压及电光系数，并用两种方法改变调制器工作点，观察对应输出特征。 在未加电场之前，铌酸锂晶体是单轴晶体。当线偏振光沿光轴（Z轴）方向经过晶体时，不会产生双折射。但如在铌酸锂晶体X轴施加电场，晶体将由单轴晶体变为双轴晶体。这时沿Z轴传输偏振光应按特定晶体感应轴X和Y进行分解，因为光沿这两个方向偏振折射率不一样（