面向不同电路应用硅基纳米尺度新器件技术全面研究与未来展望.ppt

面向不同电路应用的硅基纳米尺度新器件技术的全面研究和未来展望;提纲;IC Goals;Functional diversification;;;;;提纲;逻辑器件的要求;器件进入纳米尺度存在的问题 -1;静态功耗增大;功耗:纳米尺度器件漏电/SS增大;;涨落性 可靠性 热耗散能力 可集成性;器件进入纳米尺度存在的问题 -2;涨落性 可靠性 热耗散能力 可集成性;解决思路;新材料/新工艺 Non-silicon elements added;;;;新材料/新工艺 Non-silicon elements added;提纲;;;新型单栅准SOI器件 新型BOI FINFET双栅器件 新型围栅纳米线器件(GAA NWFET);新型准SOI单栅??件;;工艺制备;实验演示;双栅器件优势 短沟效应抑制能力强:漏电小 更好的载流子输运 缩比能力强;平面双栅;;FINFET;新型BOI(body-on-insulator) FINFET;兼容工艺集成方案;Hard mask;; 最强的栅控能力和缩比能力 围栅器件、超薄纳米线沟道 (直径~10nm) 更好的输运特性 三维集成、存储应用潜力 More than Moore: 传感器、能源器件 ….;如何制备？;;;硅纳米线关键工艺;;围栅NWFET的实验测量结果;基于纳米线器件的电路实验演示;实验测试结果;硅