半导体器件复习总结计划题及参考答案.docxVIP

第二章 一个硅 p－ n 扩散结在 p 型一侧为线性缓变结， a=1019cm-4 ，n 型一侧为均匀掺 14 － 3 杂，杂质浓度为 3×10 cm ，在零偏压下 p 型一侧的耗尽层宽度为 0.8 μm， 求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。 解： d 2 qax , ( x p x 0) dx2 S d 2 qN D , (0 x xn ) dx 2 S ( x) d qa ( x2 xp2 ), xp x 0 dx 2 S ( x) d qN D (x xn ),0 x xn dx S x＝0 处 E连续得 xn＝1.07 μm x 总 =x +x =1.87 μm np Vbi 0 E( x)dx xn 0.516V xp E( x)dx 0 Emax qa ( x2p ) 4.82 105 V / m , 负号表示方向为 n 型一侧指向 p 型一侧。 2 S 2 一个理想的 p-n 结， N ＝10 18－3 16 － 3 ，τ p＝τ n＝ 10 －6 s，器件的面 cm ，N ＝10 cm D A 积为 1.2 ×10 －5－2 ，计算 300K 下饱和电流的理论值，± 0.7V 时的正向和反 cm 向电流。 2 2 解： Dp＝9cm/s ，Dn＝6cm/s L p D p p 3 10 3 cm ， Ln Dn n 2.45 10 3 cm J S qD p pn 0 qDn np 0 L p Ln I S=A*JS=1.0*10 -16 A。 0.7V 时， I ＝ 49.3 μ A，－0.7V 时， I ＝ 1.0*10 -16 A 3 对于理想的硅 p+-n 突变结， ND＝1016cm－ 3，在 1V 正向偏压下，求 n 型中性区存 贮的少数载流子总量。设 n 型中性区的长度为 1μm，空穴扩散长度为 5μm。 ＋ d 2 ( pn pn0 ) pn pn 0 0 ，得： 解： P n，正向注入： dx2 L2p sinh( Wn x ) pn pn0 pn0 (eqV / kT 1) L p xn ) sinh( Wn L p Q Wn ( pn pn0 )dx 5.289 10 20 A qA xn + 15 － 3 n 区减小 4 一个硅 p -n 单边突变结， ND＝ 10 cm ，求击穿时的耗尽层宽度，若 到 5μm，计算此时击穿电压。 q 1 E g 3 1 解： Ec 1.1 10 7 2 ) 4 N B 4 ( ) （ 8 3.25 10 V / m S 1.1 SEC2 350V VB 2qNB 2 SVB 21.5 m xmB qN B n 区减少到 5μm时， /＝ ( xmB W ) 2 V B V VB [1 xmB2 ] 143.9 第三章 1 一个 p+-n-p 晶体管，其发射区、基区、集电区的杂质浓度分别是 5×1018， 16 15－3 2 10 ，10 cm ，基区宽度 WB为 1.0 μm，器件截面积为 3mm。当发射区－基区 结上的正向偏压为 0.5V ，集电区－基区结上反向偏压为 5V 时，计算 (a) 中性基区宽度， (b) 发射区－基区结的少数载流子浓度， (c) 基区的少数载流子电荷。 kT ln NAND 解：（ a）热平衡下，建电势 Vbi q ni2 EB结， V ＝0.857V； xneb 2 S N E V bi V 0.217 m bi q ( N E NB)NB CB结， Vbi ＝0.636V； xncb 2 S N C V bi V 0.261 m q ( N E NB)NB ( cb ) W＝WB－xneb－xncb＝0.522 μm （b） pn (0) pn0 eqVBE / kT 4.73 1012 cm 3 （c） Q B qAWpn (0) 5.93 10 13 C 2 2 推导基区杂质浓度为 N B ( x) N B (0)e x/ l 时的基区建电场公式及基区少子浓 度分布表达式。 解：不妨设为 NPN晶体管，由于基区中杂质存在浓度梯度， 其多数载流子（空穴）的分布也存在浓度梯度， 它使空穴作扩散运动， 这一运动的产生破坏了基区中的电中性，为维持电中性， 基区中就产生一电场来阻止基区中空穴的扩散运动。 电场的大小是恰好使电场产生的空穴漂移流与因杂质浓度梯度所引起的扩散流相 抵消，这一电场就称为缓变基区建电场。 考虑基区中自建电场对电流的贡献， 热 平衡时，净空穴电流为零。即 J pB dp B 0 (x) q pB pB 0 (x) B (x) qD pB 0 dx D pB 1 dpB 0 ( x) 由此求得 ε B 为