soc工艺课件 双阱CMOS工艺方案.pptVIP

8-金属1 (Metal 1) 金属1的制作 涂敷光刻胶 曝光 金属1掩膜版 显影 金属1暴露 刻蚀金属1 去除光刻胶 p+ n+ 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 p+ p+ n+ n+ 9-通孔1 (Via1) 通孔1的制作 淀积氧化层 平坦化 涂敷光刻胶 p+ p+ p+ n+ 通孔1掩膜版 通孔1掩膜版 版图 剖面图 P型衬底 P阱 n+ n+ N阱 9-通孔1 (Via1) 通孔1的制作 淀积氧化层 平坦化 涂敷光刻胶 曝光 通孔1掩膜版 显影 通孔1暴露 p+ p+ p+ n+ 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 通孔1掩膜版 通孔1掩膜版 n+ n+ 9-通孔1 (Via1) 通孔1的制作 淀积氧化层 平坦化 涂敷光刻胶 曝光 通孔1掩膜版 显影 通孔1暴露 刻蚀氧化层 去除光刻胶 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ 9-通孔1 (Via1) 通孔1的制作 淀积氧化层 平坦化 涂敷光刻胶 曝光 通孔1掩膜版 显影 通孔1暴露 刻蚀氧化层 去除光刻胶 淀积金属2 平坦化 p+ n+ 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 p+ p+ n+ n+ 10-金属2 (Metal 2) 金属2的制作 涂敷光刻胶 p+ n+ 金属2掩膜版 金属2掩膜版 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 p+ p+ n+ n+ 10-金属2 (Metal 2) 金属2的制作 涂敷光刻胶 曝光 金属2掩膜版 显影 金属2暴露 p+ n+ 版图 剖面图 P型衬底 金属2掩膜版 金属2掩膜版 P阱 N阱 p+ p+ n+ n+ 10-金属2 (Metal 2) 金属2的制作 涂敷光刻胶 曝光 金属1掩膜版 显影 金属1暴露 刻蚀金属2 n+ 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 p+ p+ p+ n+ n+ 10-金属2 (Metal 2) 金属2的制作 涂敷光刻胶 曝光 金属1掩膜版 显影 金属1暴露 刻蚀金属2 去除光刻胶 p+ n+ 版图 剖面图 P型衬底 P阱 N阱 p+ p+ n+ n+ 反相器 VIN VOUT VDD GND Oxidation (Field oxide) Silicon substrate Silicon dioxide oxygen Photoresist Develop oxide Photoresist Coating photoresist Mask-Wafer Alignment and Exposure Mask UV light Exposed Photoresist exposed photoresist G S D Active Regions top nitride S D G silicon nitride Nitride Deposition Contact holes S D G Contact Etch Ion Implantation resist ox D G Scanning ion beam S Metal Deposition and Etch drain S D G Metal contacts Polysilicon Deposition polysilicon Silane gas Dopant gas Oxidation (Gate oxide) gate oxide oxygen Photoresist Strip oxide RF Power Ionized oxygen gas Oxide Etch photoresist oxide RF Power Ionized CF4 gas Polysilicon Mask and Etch RF Power oxide Ionized CCl4 gas poly gate RF Power 双阱CMOS工艺制造流程 半导体制造：硅氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入、薄膜淀积。 局部氧化工艺 (LOCOS: LOCal Oxidation of Silicon)：场氧化层覆盖整个硅片，通过厚的场氧化层来隔离CMOS器件。（0.25μm） 浅槽隔离工艺 (STI: Shallow Trench Isolation)：通过刻蚀一定深度的沟槽，再进行侧墙氧化，实现CMOS器件的隔离。（0.25μm） LOCOS相对更容易理解CMOS工艺的制造流程。 简化的LOCOS流程：N阱→P阱→有源区→栅→pmos源/漏→nmos源/漏→接触孔→金属1 →通孔1 →金属2 完整的晶片 晶片的横截面 横截面放大 晶片 1-N阱(N-Well) N阱的制作 衬底上生长SiO2 涂敷光刻胶 版图 剖面图 P型衬底 N阱掩膜版 氧化层 光刻胶 N阱掩膜版 1-N阱(N-Well) N阱的制作