完整版本集成电路工艺原理期末试卷试题.docxVIP

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理  课程考试题  A 卷（ 120 分钟）  一张  A4  纸开卷  教师： 邓小川 一  二 三 四 五  六 七 八  九 十 总分  评卷教师 1、 名词解释： (7 分 ) 答： Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔 18 个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless： IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM ：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计 IP 内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI ：浅槽隔离工艺。 2、 现在国际上批量生产 IC 所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？ (7 分) 答：国际上批量生产 IC 所用的最小线宽是 Intel 公司的 32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联； Low-K 材料；金属栅； High-K 材料；应变硅技术。 3、 集成电路制造工艺中， 主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？ (7 分 ) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－ LOCOS；