材料的电学性能0516说课材料.pptVIP

材料的电学性一.电导的宏观参数; 为材料的电阻率，电阻率倒数为电导率，即 ，上式可写为;图中电流由两部分组成;微观上搬运电荷的自由粒子称为载流子。 物质中只要存在载流子，就可在电场在作用下产生导电电流。 载流子种类： ①电子或空穴——电子导电 ②离子（正离子、负离子及其空位）——离子导电 电介质陶瓷主要是离子导电；离子载流子的运动伴随着明显的质量迁移，有的可能发生氧化还原反应而产生新的物质。 半导体陶瓷、导电材料、超导电材料主要呈现电子导电。;电子电导和离子电导具有不同的物理特征 (1) 霍尔效应：电子电导的特征是具有霍尔效应。沿试样x轴方向通入电流 I（电流效应Jx），Z轴方向加一磁场Hz，那么在y轴方向将产生一电场Ey，这一现象称为霍尔效应。;电子电导和离子电导具有不同的物理特征 (1) 霍尔效应：电子电导的特征是具有霍尔效应。沿试样x轴方向通入电流I（电流效应Jx），Z轴方向加一磁场Hz，那么在y轴方向将产生一电场Ey，这一现象称为霍尔效应。 (2) 电解效应：离子电导的特征是存在电解效应。离子的迁移伴随着一定的质量变化，离子在电极附近发生电子得失，产生新的物质，这就是电解现象。遵循法拉第定律;法拉第定律是描述电极上通过的电量与电极反应物重量之间的关系的，又称为电解定律，它是电化学中最基本的定律。 (1) 法拉第第一定律：在电解过程中，阴极上还原物质析出的量与所通过的电流强度和通电时间成正比。用公式可以表示为： 　　M=KQ=KIt 式中M一析出金属的质量；K—比例常数；Q—通过的电量；I—电流强度；t—通电时间。 (2)法拉第第二定律：电解过程中，通过的电量相同，所析出或溶解出的不同物质的物质的量相同。 ; 物体的导电现象，其微观本质是载流子在电场作用下的定向迁移。 设单位体积内载流子浓度为n、每个载流子的荷电量为q，则参加导电的自由电荷的浓度为nq。当电场E作用于该材料上时，作用于每个载流子的电场力为qE，电荷在这个力的作用下发生漂移，其平均速率为v。 则电流密度为 J=nqv 根据欧姆定律得到电导率为 σ=J/E=nqv/E;电导率为; 如果有多种载流子对电导作贡献，则总电导率为 该式反映电导率的微观本质，即宏观电导率σ与微观载流子的浓度n、每一种载流子的电荷量q以及每种载流子的迁移率μ的关系。 ;无机材料的电导性质;填隙杂质或置换杂质离子; 对于固有电导（本征电导），载流子由晶体本身热缺陷——弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷提供。;肖脱基空位浓度，在离子晶体中可表示为：;结论： 填隙离子具有较高的位能，处于介稳状态，在电场的作用下能形成离子导电，即可把填隙离子看作“活化”离子或弱联系离子。 在一定温度下，活化离子或空位的浓度与离子离解或脱离格点所需要的能量U有关，这种能量称为活化能。 在结构紧密的晶体中，离子脱离格点进入晶格间隙所需要的能量远大于离子迁到表面所需能量，这类晶体（如莫来石、刚玉等）主要出现肖特基缺陷。 在结构松散的晶体中，离子排列不紧密，离子进入间隙需要的能量小，容易产生填隙离子，这类晶体(如含碱离子的电阻陶瓷)以产生弗仑克尔缺陷为主。 ;杂质离子半径若比本征离子小，则通常处于晶格的间隙内；而当杂质离子半径较大时，可能代替晶体的本征离子而占有格点，使本征离子进入间隙内或在晶体表面形成新格点。 通常晶体内杂质离子含量少，但由于杂质离子的活化能Ez小，容易形成活化离子，所以陶瓷中加入少量的杂质往往会使陶瓷性能发生非常显著的变化。 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。因为杂质离子的存在，不仅增加了电流载体数，而且使点阵发生畸变，杂质离子离解活化能变小。和固有电导不同，低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 ;由此可见，离子载流子主要产生于离子晶体中。 在离子晶中，晶体的弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷形成了填隙离子和空位，它们是带电荷的载流子；同时，当晶体中含有杂质离子缺陷时形成杂质填隙离子载流子。 这些载流子在电场作用下进行定向运动，产生导电电流，即形成离子导电。 这样，离子载流子的总浓度可表达为： 式中，nZ为能够产生理解的杂质离子浓度，UZ为形成一个杂质离子缺陷所需的能量，k为玻耳兹曼常数，T为热力学温度。;现以间隙离子在晶格中的扩散为例分析离子的迁移;如果间隙原子在间隙位置的热振动具有一定的频率?，即单位时间内间隙原子试图越过势垒的次数为?o，则单位时间内间隙原子越过势垒