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半导体材料的制备工艺方法 分类:多晶工艺、单晶工艺、薄膜工艺 多晶工艺 电弧炉熔炼 提纯 硅石 SiHAI—高纯度多晶Si  多晶硅的制备 ·概况 由粗硅合成SiHC或SC1或SiH4中间体,精馏提纯后,用氢 气还原或热分解而制得多晶硅 -三种方法各有特点,其中三氯代硅烷产量大、质量高、成本 低的优点,是当前制取多晶硅的主要方法 关于三氯代硅烷( Sicl3) SiCL3的制备多用粗硅与干燥氯化氢在200℃以上反应 Sit3HC1--SiHCl3 +h 实际反应极复杂,除生成SiHC13外,还可能生成SiH、SiH2C1 iLC12、SiCl等各种氯化硅烷,其中主要的副反应是 2Sit7HC1= SiHC13++3H  —性质又称或硅氯仿,结构与SiCl4相似,为四面体型。 SiCl3稳定性稍差,易水解 SiHCl3F2H-0-Si0,F3HC1-FH, 注意要点 (1)合成温度宜低,温度过高易生成副产物。常加少量铜粉或 银粉作为催化剂 (2)反应放热,常通入Ar或N带走热量以提高转化率 (3)须严格控制无水无氧。因 Sicl3水解产生的Si02会堵塞管 道造引起事故。而氧气则会与 SiCL3或H反应,引起燃烧或爆 炸  SiHC13的提纯 ·精馏利用杂质和S诎3沸点不同用精馏的方法分离提 纯 多晶硅的制备 精馏提