第七章光刻课件.ppt

第七章 光刻;７.１　光刻概述;７.２　接触式曝光;接近式曝光;光的衍射;;接触式曝光时，掩膜与硅片表面是彼此接触的，曝光后，胶膜中的潜影和掩膜上的图案完全相同，比例为1比1，分辨率好(可达1微米)。但掩膜与硅片接触会产生摩擦和小微粒，影响转移图案的质量，因此已不在大生产中使用。 接近式曝光虽不产生颗粒，但分辨率差(~3微米)，也基本不再使用。;７.３ 步进投影曝光系统--stepper;;系统组成： ;投影式曝光;提高光学系统的分辨能力可以减小波长（改进光源）,提高感光胶的灵敏度和设备的精度。 增加投影透镜的数值孔径（NA） 。 增加NA就需要更大的透镜半径，这将大大增加设备的成本，另外增加NA会减小焦深。 有一些可行的分辨率增强技术，如相移掩膜版（PSM）和光学接近修正（OPC），对减少k值改善图象分辨率有重要作用。 ;移相掩膜在光掩膜的某些透明图形上，增加或减少一个透明的介质层（移相层），使光通过这个介质层后有180度的相位差，与临近区域的透过光产生干涉，抵消图形边缘的衍射效应，从而提高图形的曝光分辨率。;;;;焦深;;;焦深计算:;７.４　光刻工艺流程;７.４.１　粘着剂HMDS;脱水烘烤和HMDS成膜;７.４.２　涂胶;;光刻胶;;７.４.３前烘;前烘的方法;;７.４.４　光学曝光;;关于抗反射涂层;ARC是抗反射涂层（Anti-Reflective Coating)的缩写，能够有效地解决反射问题。ARC有涂在胶膜上表面或下表面的区别，其中最有效的是底部抗反射涂层。 ARC有金属和介质的区别，它们是通过特定波长相移相消起作用，是以折射率，膜层厚度，和其它参数为基础的。成功的光波相位相消需要非常严格的工艺参数控制，底部抗反射涂层的厚度偏差容限是15A。 TiN被用作和金属连接的扩散势垒区的衬垫层，也是一种较好的抗反射涂层。然而，对于较短的波长以及材料的反射率变化使干涉效应很难控制。另外，还可以在光刻胶中加吸收紫外光的染料来减少反射。 ;;７.４.５　烘烤;驻波现象;;７.４.６　显影;;７.４.７　显影后检查;７.４.８　坚膜烘焙;;７.５　X射线暴光;７.５.１ X射线的光源;７.５.２ X射线光刻掩膜　;吸收体应有高的X射线吸收系数和足够的厚度，吸收体图形应有足够的高宽比。材料有金，钨，钽，钨-钛等。 X射线光刻掩膜制备： 衬基材料如氮化硅多采用LPCVD技术， 吸收体层常采用物理蒸镀。 吸收体图形的加工要使用电子束直写和干法刻蚀等图形能够转换技术来实现。;铍;7.5.3 图形畸变;7.5.4 X射线光刻胶;7.6 电子束光刻;;7.7 极紫外(EUV)光刻技术;;思考题