阻容吸收器阻容参数的简单计算[学习].pdfVIP

阻容吸收器阻容参数的简单计算 阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。其可以看作一个典型的串联 RC 保护电路，R 、C、L 同时起作用。 一、电容选值 操作过电压，其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。在回路中没有保护器存在时， 总电容值很小，导致震荡频率f 很高。电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震 荡频率。最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz ），基本计算公式如下： f=ω/2π （1） ω= （1/LC－（R/2L ）2 ）1/2 （2 ） 由于每个电路的初始L 和C 都不同，最佳值是不可能得到的。只能依据真空断路器大致的 情况进行经验比较。根据多年运行经验，取电容0.1μF 时，一般可以将f 限制在150Hz 以 下，因此0.1 就成为一个比较通用的值。理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容 量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2 或0.15 的原因），但若没有精确测算， 导致f 太小将造成副作用。 二、电阻选值 R 是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。 对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2 ），R 不应小于其临界值2 （L/C ）1/2，否则对降 低频率不利。所以存在电阻值不应小于100Ω 的说法。R 值高同样有利于保护电容本身安 全，防止电容过载烧毁。故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R 的值（一般 最高做到400Ω ）。但是R 值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于 保护的高效性。 所以我们希望R 能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达 到百欧姆级，以利于工作。自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。而且这样改革后， 额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收 器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计。 为什么要在晶闸管两端并联阻容网络 一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电 路。 我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt 。它表明晶闸管在 额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率 过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于 晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由 三个PN 结组成。 在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近， J2 结结面相当于一个电容C0 。当晶闸 管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0 ，并通过J3 结，这个电流起了门极触发 电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0 的充电电流越大，就有 可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允 许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC 阻容吸 收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的 (变压器漏感或负载电感) ，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R 、L 、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通 过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC 阻 容吸收网络就是常用的保护方法之一。 　　二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择 　　电容的选择 　　C=(2.5-5)×10 的负8 次方×If 　　If=0.367Id 　　Id-直流电流值 　　如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅) 　　可以计算C=(2.5-5)×10 的负8 次方×500=1.25-2.5mF 　　选用2.5mF ，1kv 的电容器 　　电阻的选择： 　　R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56 　　选择10 欧 　　PR=(1.5×(pfv×2πfc) 的平方×10 的负12 次方×R)2 　　Pfv=2u(1.5-2.0) 　　u=三相电压的有效值 　　阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10 毫秒。 　　小功率负载通常取2 毫秒左右，R=220 欧姆1W，C=0.01 微法400~630V 。 　　大功率负载通常取10 毫秒，R=10 欧姆10W，C=1 微法6