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GaN_SiHEMT的电学特性测试和可靠性测.pdfVIP

GaN_SiHEMT的电学特性测试和可靠性测.pdf

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    GaN/Si HEMT 的电学特性测试和可靠性测 试 摘要 随着集成电路的发展， 摩尔定律一直驱动着集成电路的基本单元， 即金属 -氧化物 -半导体场效应管的等比例缩小。在等比例缩小中，我们必须把栅氧化 层的厚度减小为原来的 1/x。在 CMOS 进步到 45nm 时代以后，传统的 SiO2

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