四讲 场效应管课件.pptVIP

1、结构和工作原理 2.3.2 N沟道耗尽型MOSFET G S D P 型衬底 B N+ N+ + + + + + + 1）当uGS=0时，正离子使导电沟道形成。 2）当uGS0，沟道加宽； uGS0，沟道变窄。 3）当uGS负值达到一定的数值时，沟道消失，此时的 uGS= UGS (off) 0 为管子的夹断电压。 2.3 MOS场效应管 预先掺入大量正离子 4）uDS对iD的影响与增强型MOSFET相似。 G D B S 1）当uGS=0时，正离子使导电沟道形成。 2）当uGS0，沟道加宽； uGS0，沟道变窄。 3）当uGS负值达到一定的数值时，沟道消失，此时的 uGS= UGS (off) 0 为管子的夹断电压。 4）uDS对iD的影响与增强型MOSFET相似。 2、特性曲线和特性方程 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 -0.6V 0.4V 输出特性曲线 UGS(off) iD uGS 0 UGS(off) IDSS 转移特性曲线 2、特性曲线和特性方程 iD uDS 0 0.2V 0V -0.3V 可变电 阻区 恒流区 击 穿 区 截止区 -0.6V 0.4V 输出特性曲线 UGS(off) iD uGS 0 UGS(off) IDSS 转移特性曲线 *耗尽型MOSFET工作