薄膜生长第06章.pptVIP

薄膜与表面物理 第六章 外延薄膜中缺陷的形成过程 第6章 外延薄膜中缺陷形成过程 外延薄膜中的缺陷主要有错配位错、穿过位错等等。 半导体薄膜异质外延时，由于两种材料晶格常数不同引起的应变称为错配应变；温度变化后由于两种材料热膨胀系数不同引起的应变称为热应变。 第6章 外延薄膜中缺陷形成过程 由后续课程内容可知，这两种应变不仅对薄膜生长模式有重要影响，还会在界面上引起错配位错。 除此之外，从衬底缺陷延伸到薄膜中的穿过位错也会在薄膜中引起新的晶体缺陷。 第6章 外延薄膜中缺陷形成过程 过多的晶体缺陷会使薄膜、特别是半导体薄膜的性能显著降低。 本章目的就是了解这些缺陷的形成过程，以便在薄膜制备过程中改进工艺、减少缺陷的形成。 6.1 晶格常数和热膨胀系数的影响 图6.1给出了一些半导体材料的晶格常数和热膨胀系数。从图中可看出： 1)材料的晶格常数和热膨胀系数各不相同。 2)晶格常数为10－1nm量级。 3)热膨胀系数为10－6/K量级。 6.1 晶格常数和热膨胀系数的影响 6.1 晶格常数和热膨胀系数的影