微电子学概论--B07-集成电路制造工艺.ppt

进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图 第 四 章 集成电路制造工艺 ? 集成电路设计与制造的主要流程框架 设计 芯片检测 单晶、外 延材料 掩膜版 芯片制 造过程 封装 测试 系 统 需 求 集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证 集成电路芯片设计过程框架 From 吉利久教授 是 功能要求 行为设计（ VHDL ） 行为仿真 综合、优化 —— 网表 时序仿真 布局布线 —— 版图 后仿真 否 是 否 否 是 Sing off — 设计业 — — 制造业 — 芯片制造过程 由氧化、淀积、离子注入或蒸 发形成新的薄膜或膜层 曝 光 刻 蚀 硅片 测试和封装 用掩膜版 重复 20-30 次 集成电路芯片的显微照片 Vss poly 栅 Vdd 布线通道 参考孔 有源区 N + P + 集成电路的内部单元 ( 俯视图 ) N 沟道 MOS 晶体管 CMOS 集成电路 ( 互补型 MOS 集成电路 ) ： 目前应用最为广泛的一种集成电路，约占 集成电路总数的 95% 以上。 集成电路制造工艺 ? 图形转换： 将设计在掩膜版 ( 类似于照 相底片 ) 上的图形转移到半导体单晶片上 ? 掺杂： 根据设计的需要，将各种杂质掺 杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 ? 制膜： 制作各种材料的薄膜 图形转换：光刻 ? 光刻三要素： 光刻胶、掩膜版和光刻机 ? 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 ? 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其 化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶 液中的溶解特性改变 ? 正胶： 分辨率高，在超大规模集成电路 工艺中，一般只采用正胶 ? 负胶： 分辨率差，适于加工线宽 ≥ 3 ? m 的 线条 正胶：曝光 后可溶 负胶：曝光 后不可溶 图形转换：光刻 ? 几种常见的光刻方法 ? 接触式光刻： 分辨率较高，但是容易造 成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 ? 接近式曝光： 在硅片和掩膜版之间有一 个很小的间隙 (10 ～ 25 ? m) ，可以大大减 小掩膜版的损伤，分辨率较低 ? 投影式曝光： 利用透镜或反射镜将掩膜 版上的图形投影到衬底上的曝光方法， 目前用的最多的曝光方式 三种光刻方式 图形转换：光刻 ? 超细线条光刻技术 ? 甚远紫外线 (EUV) ? 电子束光刻 ? X 射线 ? 离子束光刻 图形转换：刻蚀技术 ? 湿法刻蚀： 利用液态化学试剂或 溶液通过化学反应进行刻蚀的方法 ? 干法刻蚀： 主要指利用低压放电 产生的等离子体中的离子或游离基 ( 处于激发态的分子、原子及各种原 子基团等 ) 与材料发生化学反应或通 过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的 图形转换：刻蚀技术 ? 湿法腐蚀： ? 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛 应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 ? 优点是选择性好、重复性好、生产效率 高、设备简单、成本低 ? 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差 干法刻蚀 ? 溅射与离子束铣蚀： 通过高能惰性气体离子的物 理轰击作用刻蚀 ， 各向异性性好，但选择性较差 ? 等离子刻蚀 (Plasma Etching) ： 利用放电产生的 游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻 蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差 ? 反应离子刻蚀 (Reactive Ion Etching ，简称为 RIE) ： 通过活性离子对衬底的物理轰击和化 学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离 子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选 择性好的优点。目前， RIE 已成为 VLSI 工艺 中应用最广泛的主流刻蚀技术 扩散与离子注入 ? 掺杂：将需要的杂质掺入特定的 半导体区域中，以达到改变半导 体电学性质，形成 PN 结、电阻、 欧姆接触 ? 磷 (P) 、砷 (As) —— N 型硅 ? 硼 (B) —— P 型硅 ? 掺杂工艺：扩散、离子注入 扩 散 ? 替位式扩散： 杂质离子占据硅原子的位： ? Ⅲ 、 Ⅴ 族元素 ? 一般要在很高的温度 (950 ～ 1280 ℃ ) 下进行 ? 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数 均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧 化层作为杂质扩散的掩蔽层 ? 间隙式扩散： 杂质离子位于晶格间隙： ? Na 、 K 、 Fe 、 Cu 、 Au 等元素 ? 扩散系数要比替位式扩散大 6 ～ 7 个数量级 杂质横向扩散示意图 固态源扩散：如 B 2 O 3 、 P 2 O 5 、 BN 等 利用液态源进行扩散的装置示意图 离子注入 ? 离子注入：将具有很高能量的杂质离子射 入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由 注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓 度由注入杂质离子的数目 ( 剂量 ) 决定 ? 掺杂的均匀性好 ? 温度低：小于 600 ℃ ? 可以精确