微电子学概论--B03.ppt

北京大学 微电子学研究所 半导体及其 基本特性 北京大学 微电子学研究所 固体材料：超导体 : 大于 10 6 ( ? cm) -1 导 体 : 10 6 ~10 4 ( ? cm) -1 半导体 : 10 4 ~10 -10 ( ? cm) -1 绝缘体 : 小于 10 -10 ( ? cm) -1 ？什么是半导体 从导电特性和 机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 北京大学 微电子学研究所 1. 半导体的结构 原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构 成 一 个正四 面体， 具 有 金 刚 石 晶 体 结 构 北京大学 微电子学研究所 半导体的结合和晶体结构 金刚石结构 半导体有元素半导体，如： Si 、 Ge 化合物半导体，如： GaAs 、 InP 、 ZnS 北京大学 微电子学研究所 2. 半导体中的 载流子 ：能够导电的自由粒子 本征半导体： n=p=n i 北京大学 微电子学研究所 电子 ： Electron ，带负电的导电载流 子，是价电子脱离原子束缚 后 形成的自由电子，对应于导带 中占据的电子 空穴 ： Hole ，带正电的导电载流子， 是价电子脱离原子束缚 后形成 的电子空位，对应于价带中的 电子空位 北京大学 微电子学研究所 3. 半导体的 能带 ( 价带、导带和带隙 ) ? 量子态和能级 ? 固体的能带结构 原子能级 能带 北京大学 微电子学研究所 ? 共价键固体中价电子的量子态和能级 ? 共价键固体：成键态、反键态 原 子 能 级 反 成 键 态 成 键 态 北京大学 微电子学研究所 价带： 0K 条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K 条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 半导体的能带结构 导 带 价 带 E g 北京大学 微电子学研究所 半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与 真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的 等效粒子 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用 电子和空穴的 有效质量 m* 北京大学 微电子学研究所 4. 半导体的 掺杂 B As 受 主 掺 杂 施 主 掺 杂 北京大学 微电子学研究所 施主和受主浓度 ： N D 、 N A 施主 ： Donor ，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子，并成为带正电的离子。如 Si 中掺的 P 和 As 受主 ： Acceptor ，掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如 Si 中掺的 B 北京大学 微电子学研究所 施主能级 受主能级 杂质能级：杂质可以使电子在其周围运动形成量子态 北京大学 微电子学研究所 本征载流子浓度： n=p=n i np=n i 2 n i 与禁带宽度和温度有关 5. 本征载流子 本征半导体：没有掺杂的半导体 本征载流子：本征半导体中的载流子 载流子浓度 电 子 浓 度 n, 空 穴 浓 度 p 北京大学 微电子学研究所 6. 非本征半导体的载流子 2 i n np ? p n ? 在非本征情形 : 热平衡时 : N 型半导体： n 大于 p P 型半导体： p 大于 n 北京大学 微电子学研究所 多子：多数载流子 n 型半导体：电子 p 型半导体：空穴 少子：少数载流子 n 型半导体：空穴 p 型半导体：电子 北京大学 微电子学研究所 7. 电中性条件 : 正负电荷之和为 0 p + N d – n – N a = 0 施主和受主可以相互补偿 p = n + N a – N d n = p + N d – N a 北京大学 微电子学研究所 n 型半导体：电子 n ? N d 空穴 p ? n i 2 /N d p 型半导体：空穴 p ? N a 电子 n ? n i 2 /N a 北京大学 微电子学研究所 8. 过剩载流子 由于受外界因素如光、电的作用，半导 体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这 些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子 2 i n np ? 公式 不成立 载流子的产生和复合：电子和空穴增加和消 失的过程 电子空穴对：电子和空穴成对产生或复合 北京大学 微电子学研究所 9. 载流子的输运 漂移电流 E qn qnv J d Deift ? ? ? 迁移率 ? 电阻率 ? p n qp qn ? ? ? ? ? 1 ? ? m q ? ? 单位电场作用下载流子获得平均速度 反映了载流子在电场作用下输运能力 载流子的漂移运动： 载流子在电场作用下的运动 引 入 迁 移 率 的 概 念 影 响 迁 移 率 的 因 素 北京大学 微电子学研究所 影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕 体现在：温度和 掺杂浓度 半导体中载流子