双面TOPCon结构的钝化机理研究及其在高效太阳电池中的应用.pdfVIP

双面TOPCon结构的钝化机理研究及其在高效太阳电池 中的应用 摘 要 载流子选择性钝化接触是提高太阳能电池效率的重要途径之一，在隧穿氧化 TOPCon SiO 钝化接触 （ ）太阳电池中，采用一层超薄氧化硅 （ ）加上磷重掺杂 x + 的多晶硅 （n -poly-Si）用于电子选择性接触或者加上硼重掺杂的多晶硅 + （p -poly-Si）用于空穴选择性接触。poly-Si/SiO 结构钝化接触太阳能电池采用 x 了与PRRC （钝化发射极背场点接触电池）电池技术或PERL （钝化发射极背部 IBC 局域扩散）电池技术兼容的高温工艺，在没有交叉指式背接触 （ ）结构的情 况下，电池效率已达到了25.7%。poly-Si/SiO 钝化技术有望很快融入大批量生产 x 线。 虽然poly-Si/SiOx 结构的电池效率已经得到大幅提升，但人们对一些基本原 理还没有很好的理解，这些包括化学或场效应钝化的钝化机理、从钝化质量角度 + + 分析n -poly-Si 与p -poly-Si 的区别。一般而言，化学钝化减少了界面缺陷，电 场效应使少数载流子远离缺陷界面区域，但在实际钝化接触中，目前还缺乏对影 响钝化效果的具体参数进行定量评估。 poly-Si/SiO c-Si 本文研究的 x 结构对单晶硅 （ ）片的钝化机理，其中多晶硅由 未掺杂、磷掺杂和硼掺杂的三种氢化非晶硅 （a-Si:H）前驱体组成，而c-Si 包括 n 型和p 型单晶晶片。由于未掺杂的多晶硅没有有意掺杂，钝化完全是通过减少 界面缺陷的化学钝化来实现的，而掺杂的多晶硅会导致能带弯曲，因此预期会出 现电场效应钝化，能带弯曲可能是同方向的，也可能是反方向的，这取决于多晶 硅和单晶晶片的类型。此外，还研究了多晶硅中的晶体结构、掺杂剂在硅中的扩 散和对单晶晶片的渗透，探讨了影响钝化质量的其他因素。 I 基于钝化机制的研究，通过优化退火工艺，进一步提高了poly-Si/SiO 结构 x 的钝化质量。其中，氧化硅分别采用了硝酸氧化硅、笑气等离子体氧化硅和热氧 化硅三种类型，透明导电氧化 （Transparent conductiveoxide，TCO）层分别使用 ITO Atomiclayer deposition ALD 磁控溅射制备的氧化铟锡 （ ）和原子层沉积 （ ， ） 2 系统制备的掺铝氧化锌 （AZO）两种方法。最终在4×4 cm 的n 型单晶硅衬底 2 上制备出有效面积为4 cm 的太阳电池：TCO层采用AZO 薄膜制备的电池，硝 酸氧化硅、笑气等离子体氧化硅和热氧化硅的电池效率分别为15.54%、17.41% 13.83% TCO ITO 和 ； 层采用 薄膜制备的电池，硝酸氧化硅、笑气等离子体氧化 硅和热氧化硅的电池效率分别为14.06%、14.89%和