LED外延片外延工艺.docx

文档来源为 : 从网络收集整理 .word 版本可编辑 .欢迎下载支持 . LED 外延片 外延工艺 由 LED工作原理可知，外延材料是 LED的核心部分，事实上， LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极管对外延片的技术主要有以下四条： ①禁带宽度适合。②可获得电导率高的 P 型和 N型材料。③可获得完整 性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关 键所在，金属有机物化学气相淀积 (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition ，简称 MOCVD)技术生长 III-V 族， II-VI 族化合物及合金的薄层单 晶的主要方法。 II 、III 族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物，如： Ga(CH3)3，In(CH3)3 ， Al(CH3)3 ，Ga(C2H5)3，Zn(C2H5)3 等，它们大多数是 高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与 V 族的氢化物 ( 如 NH3， PH3，AsH3)混合，再通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。 MOCVD具有以下优点： 用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中，可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分，导电类型，载流子浓度，厚度等特性。因有抽气装置，反应室中