2020半导体中的非平衡载流子.pptVIP

School of Microelectronics ? 半导体中的载流子 ? School of Microelectronics 1 非平衡载流子的产生与复合 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级 E F ，此时的平衡 载流子浓度 n 0 和 p 0 唯一由 E F 决定。平衡态非简并半导体的 n 0 和 p 0 乘 积为 称 n 0 p 0 =n i 2 为非简并半导体平衡态判据式。 2 i 0 0 0 n ) T k Eg NcNvex p( p n ? ? ? School of Microelectronics 但是半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界 因素作用于平衡态半导体上，如图所示的一定温度下用光子 能量 h γ≥ Eg 的光照射 n 型半导体，这 时平衡态条件被破坏，样品就处于偏 离平衡态的状态，称作非平衡态。 光照前半导体中电子和空穴浓度分 别是 n 0 和 p 0 ，并且 n 0 p 0 。光照后的非 平衡态半导体中电子浓度 n=n 0 + Δ n ，空穴浓度 p=p 0 + Δ p ，并且 Δ n= Δ p ，比平衡态多出来的这部分载流子 Δ n 和 Δ p 就称为非平 衡载流子。 n 型半导体中称 Δ n 为非平衡多子， Δ p 为非平衡少子。 图 3.5 n 型半导体非平衡 载流子的光注入 School of Microelectronics ? 光照产生非平衡载流子的方式称作非平衡载流子的光注入， 此外还有电注入等形式。 ? 通常所注入的非平衡载流子浓度远远少于平衡态时的多子浓度。例如 n 型半导 体中通常的注入情况是 Δ n n 0 ， Δ p n 0 ，满足这样的注入条件称为小注入 。 ? 要说明的是即使满足小注入条件，非平衡少子浓度仍然可以比平衡少子浓度 大得多。 ? 例如：磷浓度为 5 × 10 15 cm -3 的 n-Si ，室温下平衡态多子浓度 n 0 =5 × 10 15 cm -3 ，少 子浓度 p 0 =n i 2 /n 0 =4.5 × 10 4 cm -3 ，如果对该半导体注入非平衡载流子浓度 Δ n= Δ p=10 10 cm -3 ，此时 Δ nn 0 ， Δ pp 0 ，满足小注入条件。但必须注意尽管 此时 Δ nn 0 ，而 Δ p(10 10 cm -3 ) 却远大于 p 0 (4.5 × 10 4 cm -3 ) 。 School of Microelectronics ? 因此相对来说非平衡多子的影响轻微，而非平衡少子的影 响起重要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 ? 非平衡载流子的存在使半导体的载流子数量发生变化，因而会引起附加电导率 ? 电阻上电压的变化正比于非平衡载流子的浓度即 ? 当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终 恢复到平衡态。 ? 半导体由非平衡态恢复到平衡态的过程，也就是非平衡载流子逐步消失的过 程，称为非平衡载流子的复合。 ? 平衡态也不是静止的、绝对的平衡，而是动态平衡 ) μ Δpq(μ Δpqμ Δnqμ σ σ Δσ p n p n 0 ? ? ? ? ? ? p V ? ? ? School of Microelectronics 2 非平衡载流子的寿命 ? 光照停止后非平衡载流子生存一定时间然后消失，把撤除光照后非平衡载流 子的平均生存时间 τ 称为非平衡载流子的寿命。 ? 由于非平衡少子的影响占主导作用，故非平衡载流子寿命称为少子寿命。 ? 为描述非平衡载流子的复合消失速度，定义单位时间单位体积内净复合消失 的电子 - 空穴对数为非平衡载流子的复合率。 School of Microelectronics 如果 n 型半导体在 t=0 时刻非平衡载流子浓度为 ( Δ p) 0 ，并在 此时突然停止光照， Δ p(t) 将因为复合而随时间变化，也就是 非平衡载流子浓度随时间的变化率 -d Δ p(t)/dt 等于非平衡载流子 的复合率 Δ p/ τ ，即 上式的解为 Δ p(t)=( Δ p) 0 e -t/ τ ，表明光照停止后非平衡载流子浓度 随时间按指数规律衰减。而非平衡载流子的平均生存时间为 所以非平衡载流子寿命 τ 就是其平均生存时间。 τ Δp(t) dt p(t) d ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 0 0 ) ( p d ) ( p td t t t School of Microelectronics 如果令 Δ p(t)=( Δ p) 0 e -t/ τ 中的 t= τ ，那么 ? 寿命 τ 的另一个含义是非平衡载流子衰减至起始值的 1/e 倍 所经历的时间。 ? τ 的大小反映了外界激励因素撤除后非平衡载流子衰减速度的不同，寿