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2020/4/17 电子电路基础 第二讲 放大电路分析基础 （ 1 ） 五、特性曲线 1 、实验线路 I C m A ? A V V U CE U BE R B I B E C E B 输入特性曲线 I B = f ( U BE )| U CE= 常数 输出特性曲线 I C = f ( U CE )| I B = 常数 U CE ? 1V I B ( ? A) U BE (V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降 ： 硅管 U BE ? 0.6~0.7V 锗管 U BE ? 0.2~0.3V U CE =0V U CE =0.5V 死区电压 硅管 0.5V 锗管 0.2V 2 、输入特性 I B ( ? A) U BE (V) 20 40 60 80 0.4 0.8 输入特性曲线的特点 （ 1 ） U CE =0 ，相当于两个二极管 并联运用。 （ 2 ） U CE ≠0 时，整个曲线往右移 当 U CE ＞ 0.5V 后，曲线几乎重合 （ 3 ）有一门限电压 ── 晶体管开始导通时的基极电压 （硅管 0.5V ，锗管 0.1V ） （ 4 ）晶体管正常工作时，发射结的压降变化不大 （硅管 0.7V ，锗管 0.3V ） （ 5 ）输入特性是非线性的 I C (mA ) 1 2 3 4 U CE (V) 3 6 9 12 60 ? A I B =0 20 ? A 40 ? A 80 ? A 100 ? A 2 、输出特性 I C (mA ) 1 2 3 4 U CE (V) 3 6 9 12 I B =0 20 ? A 40 ? A 60 ? A 80 ? A 100 ? A ★ 放大区 ：发射结正偏，集电结反偏。曲线平行等距，曲线的疏密反映了 ★ 截止区 ：发射结反偏，集电结反偏。 I C ≠βI B ， I C =I CEO ，此时 V BE 0.5v （ 4 ）整个曲线可分为三个区 ★ 饱和区 ：发射结正偏，集电结正偏。 I C ≠βI B, ， U CE ? 0.3V 输出特性曲线的特点 （ 1 ）当 I B =0 时， I C ≠0 。这时的 I C 就是 I CEO 。 （ 2 ） U CE =0 时， I C =0 。发射区注入到基区的 电子不能被集电区所收集。当 U CE ＜ 1V ， U CE ↑→I C ↑ 。 （ 3 ） U CE 1V 以后，随着 U CE 的增加， I C 几乎 不变。曲线几乎平行等距。并且 I B 越大， 曲线越往上移。 β 的大小。 β=ΔI C /ΔI B ， I C 受 I B 控制。 例： U CE =6V 时 ： I B = 40 ? A, I C =1.7 mA ； I B = 60 ? A, I C =2.5 mA 。 5 . 42 04 . 0 7 . 1 I I B C ___ ? ? ? ? 40 04 . 0 06 . 0 7 . 1 5 . 2 I I B C ? ? ? ? ? ? ? ? I C (mA ) 1 2 3 4 U CE (V) 3 6 9 12 I B =0 20 ? A 40 ? A 60 ? A 80 ? A 100 ? A 频率参数 f β ── 截止频率 f T ── 特征频率 1 β f β max f T f β 70.7%β max 集电极最大电流 I CM 集电极电流 I C 上升会导致三极 管的 ? 值的下降，当 ? 值下降到 正常值的三分之二时的集电极 电流即为 I CM 。 集 - 射极反向击穿电压 当集 --- 射极之间的电压 U CE 超过 一定的数值时，三极管就会被击 穿。手册上给出的数值是 25 ? C 、 基极开路时的击穿电压 U (BR)CEO 。 I C U CE I C U CE = P CM I CM U (BR)CEO 安全工作区 集电极最大允许功耗 P CM 集电极电流 I C 流过三极管， 所发出的焦耳热为： P C = I C U CE 必定导致结温 上升，所以 P C 有限制。 P C ? P CM 1 、必须使晶体管工作在安全区。 2 、若工作频率高，必须选用高频管。 3 、若要求导通电压低时选用锗管， 若要求导通电压高时选用硅管。 4 、 I CBO 、 I CEO 越小越好。 5 、 NPN 管和 PNP 管对电源的极性要求不一样。 七、晶体管的选择和使用注意事项 小结 ? 各种新名词及特性参数的定义 ? 本征半导体与杂质半导体（ N 型与 P 型） ? PN 结及其单向导电性 ? 二极管伏安特性曲线 ? 二极管及稳压二极管的应用 ? 三极管电流放大原理 ? 三极管输入特性曲线与输出特性曲线 主要内容 ? 2.1 共射放大电路分析基础