2020第12章霍尔传感器.pptVIP

二、霍尔式传感器的应用 1. 霍尔式微位移传感器 霍尔式位移传感器的工作原理图。 图（ a ）是磁场强度相同的两块永久磁铁，同极性相对地 放置，霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的 磁感应强度 B=0 ，因此霍尔元件输出的霍尔电势 U H 也等于 零，此时位移Δx= 0 。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位 移，霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变，这时 U H 不为零，其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位 置的变化量，这种结构的传感器，其动态范围可达 5 mm ， 分辨率为 0.001mm 。 图（ b ）所示是一种结构简单的霍尔位移传感器， 由一块永久磁铁组成磁路的传感器，在Δx= 0 时， 霍尔电压不等于零。 图（ c ）是一个由两个结构相同的磁路组成的霍尔 式位移传感器，为了获得较好的线性分布，在磁极 端面装有极靴，霍尔元件调整好初始位置时，可以 使霍尔电压 U H =0 。 这种传感器灵敏度很高，它所能检测的位移量 较小，适合于微位移量及振动的测量。 第十二章 霍尔式传感器 霍尔传感器：基于 霍尔效应 的一种传感器。 霍尔效应： 1879 年美国物理学家霍尔 首先在金属材料 中 发现了霍尔效应。 霍尔传感器应用：广泛用于 电磁测量 、压力、加速度、 振动等方面的测量。 一、霍尔效应及霍尔元件 1. 霍尔效应 置于磁场中的 静止载流导体 ，当它的电流方向与磁场 方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两 个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，该电势称霍 尔电势。 霍尔效应 b f H l B d f L v I E H 霍尔效应原理 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 电子受 洛仑兹力 f L 的作用，大小为 f L =eBv 式中： e — 电子电荷； v — 电子运动平均速度； B — 磁场的磁感应强度。 霍尔电场的电场强度为： U H E H ? b 电子除了受洛仑兹力作用外，还受到 霍尔电场的 作用力 ，其大小为 f H =eE H 电子所受洛仑兹力与霍尔电场作用力大小相等、方向相 反时 , 即 eE H =eBv E H =Bv 此时电荷不再向两侧面积累，达到平衡状态。 若金属导电板单位体积内电子数为 n ，电子定向运动平 均速度为 v ，则激励电流 I=nevbd ，则 I 可得 IB E H ? nebd R H IB U H ? d U H nebd IB ? E H b ? ned v ? 令 R H =1/ne 为霍尔系数，则 ＊霍尔片的灵敏度 K H ？ 和那些量有关（ｄ、Ｒ Ｈ ）？ 如何提高灵敏度？ 霍尔片材料的要求：希望有较大的霍尔系数 R H 。 ? l R 霍尔元件激励极间电阻： ? 电子迁移率： bd v ? ? E U El vl R ? ? ? I I ? nevbd ? l l R ? ? bd ? nebd 1 R H ? ? ?? ne 霍尔系数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率的乘积。若 要霍尔效应强，则 R H 值大，因此要求霍尔片材料有较大的电 阻率和载流子迁移率。→ 只有半导体材料适于制造霍尔片 常用的霍尔元件材料：锗、硅、砷化銦等半导体材料。 2. 霍尔元件基本结构 霍尔元件结构很简单，由霍尔片、引线和壳体组 成。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四根引线。 1 、 1 ′两根引线加激励电压或电流，称为 激励电极 ； 2 、 2 ′两根引线为霍尔输出引线，称为 霍尔电极 。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 1 2 1 2 I 1 ? 1 2 ? H 1 ? R p E U H R L 1 ? 2 ? (a) 外形结构示意图 (b) 图形符号 霍耳元件 霍耳元件的基本检测电路 3. 霍尔元件基本特性 （ 1 ） 额