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第三章 存储器 ? ? ? ? 半导体存储器的分类及性能指标 RAM ROM 存储器的扩展 3.1 半导体存储器的分类及性能指标 一、半导体存储器分类 读写 双极型：存取速度快，但集成度低，功耗大、成本 高，一般用于大型计算机或高速微机中； 存储器 RAM 速度较快，集成度较低，功耗较 静态 （按器件 SRAM 高，一般用于对速度要求高、而 型 原理分类） MOS 容量不大的场合。 ( 按存储 半导体 动态 DRAM ： 集成度高但存取速度较低， 原理分类 ) 存储器 一般用于需要较 大 容量的场合。 按 （按读写 集成 IRAM ： 将刷新电路集成在 DRAM 内 存 功能分类 ) （内存） 掩膜 ROM 只读 储 一次性可编程 PROM 存储器 介 ROM 紫外线可擦除 EPROM 质 电可擦除 E 2 PROM 可编程只读存储器 FLASH 分 类 磁介质存储器（外存） 光存储器 二、性能指标 存储器的职能就相当于计算机中各部分的“信息交换中心” 和“数据仓库”。因此存储器的“速度”和“容量”便成为计 算机系统性能的两项重要指标，也是推动存储器不断发展的两 个主要因素。 1 、 存储容量 存储容量 = 单元数×数据位数 即字数×字长 通常以 KB （ 2 10 B ）、 MB （ 2 20 B ） 、 GB （ 2 30 B ）、 40 TB （ 2 B ）为单位。 2 、 存取时间、存取周期 存取时间： CPU 访问一次存储器所需的时间 存取周期：连续两次访问存储器所需最小间隔时间 3 、 可靠性 4 、 功耗 5 、 价格 3.2 随机存取存储器 3.2.1 SRAM 一、基本存储电路 行选择线 +5V T5 T3 A T1 T4 B T2 T6 1. T1 和 T2 组成一个双稳态 触发器，用于保存数据。 T3 和 T4 为负载管。 2. 如 A 点为数据 D ，则 B 点 为数据 /D 。 3. 行选择线有效（高电 平） D 时， A 、 B 处的数据信息 通过门控管 T5 和 T6 送至 C 、 D 点。 4. 列选择线有效（高电 平） 时， C 、 D 处的数据信 息通过门控管 T7 和 T8 送 至芯片的数据引脚 I/O 。 C T7 I/O 列选择线 T8 I/O 基本存储电路简化图 Do 它可存储一位信息 SE Di 由若干个基本电路采用同一根选择线，可以组成一个 基本存储单元 Do0 Do1 Do2 Do7 SE Di0 Di1 Di2 Di7 它每次可以存储或读出 8 位信息 由若干个存储单元可以组成一个芯片 片 内 SE1 译 码 电 SE i 路 R/W SE0 存储单元 存储单元 A 0 ～ A k D 0 ～ D 7 存储单元 为了减小体积，芯片内部通常采用矩阵式结构 由若干个芯片可扩展内存（存储体） 存储体容量 L ? B ? ? N 芯片容量 l ? b N — 所需芯片个数 二、 SRAM 的典型芯片 NC 1 28 A 12 2 27 A 7 3 26 A 6 4 25 A 5 5 24 A 4 6 A 3 7 6264 23 22 A 2 8 21 A 1 9 20 A 0 10 19 D 0 11 18 D 1 12 17 D 2 13 16 GND 14 15 +5V WE CS 2 A 8 A 9 A 11 OE A 10 CS1 D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 存储容量为 8K × 8 28 个引脚： ? 13 根地址线 A 12 ～ A 0 ? 8 根数据线 D 7 ～ D 0 ? 片选 CS1 、 CS2 ? 读写 WE 、 OE 功能表 ? ? 3.2.2 DRAM 一、基本存储电路 1. 行选择线 B T1 A 2. 存储 电容 C 3. 刷新放大器 4. 列选 T2