电工信息物理学——周期势场中电子与能带论.ppt

电工信息物理学——周期势场中的电子和能带论 费米能级EF的意义 EF的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。 EF越高，说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据 不同温度下的量子态占据情况： , 对于本征半导体，EF位于禁带中部： Eg ：1.6～1.7ev 半导体的费米温度TF ：104~105 K 室温：T=300K,则 价带顶: 价带主要由电子填充 导带电子很少 导带底： 和 为粒子占据能态的几率 为能态空占的几率 以为EF对称 对于本征半导体， 费米分布函数 玻尔兹曼分布函数 波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 空穴的费米分布函数 3.3.2 半导体中的载流子 1. (本征半导体)导带中电子和价带中空穴浓度 ? 在一定温度T下，产生过程与复合过程之间处于动态 的平衡，这种状态就叫热平衡状态。 ? 处于热平衡状态的载流子n0和p0称为热平衡载流子。 它们保持着一定的数值。 本征激发 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 本征激发。 激发前 激发后 非掺杂的半导体(本征半导体) T＝0K T0K 价带为满带，导带为空带 价带和导带都不导电 热激发（本征激发） 价带电子进入导带 价带空穴，导带电子 价带和导带为部分填充能带 价带和导带导电 半导体中电子和空穴的有效质量 EC(k) 电子主要 在导带底 抛物线近似 Ev(k) 空穴进入价带顶 抛物线近似 故价带电子有效质量为正 而导带电子有效质量是负的 导带电子统计分布 玻尔兹曼近似 单位体积电子数（电子浓度）： （金属自由电子） 类比 半导体单位体积能态密度 导带电子浓度： 导带有效态密度： 价带空穴统计分布 玻尔兹曼近似 价带空穴能态密度 价带空穴浓度： 价带有效态密度： 本征半导体热激发，使价带电子进入导带 导带电子完全由价带提供： （禁带中心位置） T=0K,本征半导体的费米能级在禁带中央 本征半导体的平衡载流子浓度： T=0K,本征半导体的平衡载流子浓度与温度、禁带宽度有关，而与费米能级无关 1. 杂质半导体 本征半导体 提供导带电子 施主杂质 提供价带电子 受主杂质 N型半导体 P型半导体 浅能级杂质： 浅能级/施主杂质的能级离导带底/价带顶很近 浅能级施主原子很容易电离、施主离子很难俘获电子 浅能级受主原子很容易电离、受主离子很难俘获空穴 深能级杂质： 深能级施主/受主杂质的能级离导带底/价带顶很远 深能级杂质很难电离，很难为导带或者价带提供载流子 杂质的电离能： N半导体 T0K 施主杂质原子电离成“＋”离子 大量提供导带电子 少量俘获电子 总效应：大量提供导带电子 P半导体 T0K 受主杂质原子电离成“－”离子 大量提供价带空穴 少量俘获电子 总效应：大量提供价带空穴 施主原子密度ND 占据施主态电子浓度nd 为离化离子浓度，g为简并度，一般取g＝2 受主原子密度NA 受主态空穴浓度pa 为离化离子浓度，g为简并度，一般取g＝2 完全离化： T=0K： 补偿半导体：既掺施主杂质，也掺受主杂质 NDNA 为n型半导体 NAND为p型半导体 热平衡时，半导体晶体为电中性 完全离化: 本征载流子浓度: 掺杂半导体载流子浓度随温度变化特性 低温弱电离 N型半导体 载流子浓度： 费米能级： EF在导带底与施主杂质能级之间 T=0K， EF在导带底与施主杂质能级中部 T0K，施主杂质浓度增加时，EF向导带底方向移动 低温弱电离 p型半导体 载流子浓度： 费米能级： EFp在价带顶与受主杂质能级之间 T=0K， EFp在价带顶与受主杂质能级中部 T0K，受主杂质浓度增加时，EFp向价带顶方向移动 强电离 载流子浓度： 费米能级： n型半导体 p型半导体 高温本征区： p型半导体 和n型半导体都具有本征半导体的特性： 载流子浓度： 费米能级： n半导体载流子浓度 低温弱电离： 强电离： 高温本征区： 低温弱电离：仅施主（杂质）上的部分有可能进导带，即杂质能级代替本征半导体的价带，kBT EC-ED 强电离：施主杂质能级上的电子全到了导带，价带电子很难跃迁到导带，导带浓度仅与杂质浓度有关，受温度影响小，Egk BTEC-ED 高温本征区：价带跃迁到导带的电子已经很多，远多于杂质来的电子，与本征半导体相似 3.3.4 半导体的连续性方程 均匀掺杂半导体在热平衡下，单位时间，单位体积电子空穴对产生数＝复合数 载流子浓度不变 载流子浓度均匀（电中性，包括杂质离子） 外界（光或电）作用 载流子浓度与平衡值有偏离，产生： 非平衡多数载流子（多子）、非平衡少数载流子