炭素材料科学基础 晶粒生长与二次再结晶 晶粒生长与二次再结晶.pptxVIP

知识点：晶粒生长与二次再结晶 情境十：材料的烧结任务二：烧结机理课程：炭素材料科学基础晶粒生长与二次再结晶 —— 与烧结中、后期传质过程同时进行 一、基本概念 1、晶粒生长：无应变的材料在热处理时，平衡晶粒尺寸在 不改变其分布的情况下，连续增大的过程。2、二次再结晶：指少数巨大晶粒在细晶消耗时不断长大的过 程，又称晶粒异常长大和晶粒不连续生长。回顾烧结过程中性质的变化：一、晶粒生长 概念 烧结中后期，细晶粒逐渐长大，晶粒的平均尺寸增大。晶粒长大不是小晶粒相互粘结，而是晶界移动的结果；晶粒生长取决于晶界移动的速率。1、界面能与晶界移动凸面晶粒表面 A ：正曲率，自由能高凹面晶粒表面 B ：负曲率，自由能低界面能晶界移动：∵ 凸面界面能 凹面界面能 物质从凸界面向凹界面迁徙；∴ 晶界向凸面曲率中心移动推动力：晶界两边物质的吉布斯自由能之差是使晶界向曲率中心移动；同时小晶粒长大，界面能 ?2、晶界移动的速率 —— 晶粒生长速率晶粒长大的推动力：晶界过剩的界面能小晶粒生长为大晶粒．面积↓，界面自由能↓。如：晶粒尺寸由1?m→1cm，相应的能量变化约为0.42～21J/g能量差A、B晶粒之间由于曲率不同（正负、大小）而产生的压力差为：压力差由热力学可知，系统只做膨胀功时：当温度不变时：温度愈高，曲率半径愈小，晶界向其曲率中心移动的速率愈快。3、晶粒长大的几何学原则120o晶界上有界面能的作用，界面能作用使晶粒形成一个与肥皂泡沫相似的三维阵列；边界表面能相同，界面夹角呈120o夹角，晶粒呈正六边形；实际表面能不同，晶界有一定曲率，? 使晶界向曲率中心移动。实际多晶体系中，晶粒间界面能不等，晶界具有一定曲率，表面张力将使晶界移向其曲率中心；即小于6条边的晶粒缩小（或消失），大于6条边的晶粒长大。晶界上杂质、气泡如果不与主晶相形成液相，则阻碍晶界移动。 4、晶粒生长影响因素（1）夹杂物（杂质、气孔等）的阻碍作用晶界移动遇到夹杂物时，晶界为了通过夹杂物，界面能被降低；通过障碍后，弥补界面又要付出能量，使界面前进的能量减弱，界面变得平直，晶粒生长逐渐停止。图9-20 界面通过夹杂物时形状的变化晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，其移动可能出现三种情况：1）晶界能量较小，晶界移动被杂质或气孔所阻挡，Vb=0，晶粒正常长大停止。（烧结初期）2）晶界具有一定的能量，晶界带动杂质或气孔继续移动，Vb=VP。气孔利用晶界的快速通道进行聚集和排除，坯体不断致密。3）晶界能量大，晶界越过杂质或气孔，把气孔包裹在晶粒内部，Vb VP。气孔被包入晶体内不，再不能利用晶界这样的快速通道而排除，只能通过体积扩散来排除，是十分困难的，坯体很难致密化。因此，在烧结中晶界的移动速率控制是十分重要的。（2）晶界上液相的影响——晶界上少量液相，抑制晶粒长大如：95％Al2O3中加入少量石英、粘土。但是当坯体中有大量液相：促进晶粒生长和出现二次再结晶（3）晶粒生长极限尺寸晶粒正常生长过程中，由于夹杂物对晶界移动的牵制，使晶粒大小不能超过某一极限尺寸：d：夹杂物或气孔的平均直径；f：夹杂物或气孔的体积分数烧结初期：气孔小而多，d↓，f↑，Dl↓，D0总大于Dl，晶粒不长大；烧结中期：小气孔聚集排除，d ↑ ，f ↓ ，Dl↑，当Dl D0 时，晶粒开始均匀长大；烧结后期：一般假定在烧结后期，气孔的尺寸为晶粒初期的1/10，则有 f ＝ d/Dl = d/10d ＝ 0.1，即烧结达到气孔的体积分数为10％时，晶粒长大就停止了。三、二次再结晶1、概念：指曲率半径较大的大晶粒在消耗细晶粒时，不断长大形成少数巨大晶粒的过程。2、推动力：表面能3、晶粒生长与二次再结晶的区别晶粒生长二次再结晶晶粒尺寸均匀生长个别晶粒异常长大界面处于平衡状态，无应力大晶粒界面上有应力存在不存在晶体生长核心大晶粒是二次再结晶的核心气孔都维持在晶界上或晶界交汇处气孔被包裹在晶粒内部4、二次再结晶的影响因素（1）晶粒晶界数（原始颗粒的均匀度）原始颗粒尺寸均匀：晶粒均匀生长到极限尺寸停止，烧结体中晶界数为3～8个原始颗粒尺寸不均匀：烧结体中有晶界数大于10 的大晶粒，→ 结晶核心。大晶粒直径dg 基质晶粒直径dm， 长大驱动力随d↑而↑（2）起始物料颗粒的大小粗的起始颗粒的二次再结晶的程度要小，如右图所示。（3）工艺因素 原始粒度不均匀、温度偏高、烧结速率太快、坯体成型压力不均匀及存在局部不均匀液相等。5、控制二次再结晶的方法1）引入适当的添加剂添加剂能抑制晶界迁移，加速气孔的排除。如：MgO加入到Al2O3中采用晶界迁移抑制剂时，晶粒生长公式为：2）控制温度等，工艺因素6、二次再结晶的危害由于大晶粒受到周围晶界应力作用或本身缺陷，使晶粒内出现隐裂纹，导致材料的性能恶化。 但是，并不是在任何情况下二