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阵列天线分析与综合题
一、填空题(1分/每空)
阵列天线的分析是指在已知阵列的四个参数 —单元数_、_单元的空间分
布、_激励幅度分布 和 激励相位分布 的情况下,确定阵列天线辐射特 性。阵列天线的综合则是指在已知阵列辐射特性如 方向图_、—半功率波 瓣宽度_和_副瓣电平_等的情况下确定阵列的如上四个参数。
单元数为N,间距为d的均匀直线阵的归一化阵因子为 S(u)=
其中u =kd cosP中。,k= ,口 表示 最大指向为
阵列沿 x方向排列则 cosPx= 若阵列沿 y方向排列 则cos札= 若阵列沿 z方向排列则cosBz= 当N很大
时,侧射阵的方向性系数为D= ,半功率波瓣宽带为
(BW)h= 51上(°),副瓣电平为SLL= -13.5 dB,波束扫描时主瓣将(13) 变
~ Nd ~ - —
宽___,设其最大指向十为阵轴与射线之间的夹角,扫描时的半功率波瓣宽度
为(14)_51— _(°),抑制栅瓣的条件为(14)__d£—— _;端射阵的
Nd sin Pm 1 +1 cosPm |
方向性系数为D= ,半功率波瓣宽带为(BW)h= 108』-*(o)。
Nd
一个单元数为 N,间距为d的均匀直线阵,其归一化阵因子的最大值为
其副瓣电平约为 dB设其最大指向日m为阵轴与射线之间的夹 角,则抑制栅瓣的条件为 大指向对应的均匀递变相位:-max二
。
根据波束指向,均匀直线阵可分为三类,即(1)侧射阵_:⑵ 端射阵 和
—扫描阵__ 它们满足的关系分别是。=(3)_0 、G =⑷__— kd_ 和 —
__ = -kd COS Pm__。
均匀直线阵的零点位置与 —单元数N_、―单元间距d__ __频率(或波长)__和_ 最大指向 日m (或均匀递变相位 a ) 有关。
在普通端射阵的均匀递变相位的基础上再附加一个均匀递变的滞后相位 「?,
可以提高端射阵的方向性系数 。此时a =(16)?-kd-6 __,满足汉一伍条件的 这种阵列称为(17) 一强方向性_端射阵,其6 =(18)_上厶N一 其方向性系数是 普通端射阵的(19)__1^__倍0
一个均匀递变相位为口,间距为d的N单元直线阵列可以写成 个因
式(w -wj的连乘式,其中w= u = kdcos日中a , wi是阵因子的零
TOC \o 1-5 \h \z 点。当d =九/2时,w随B =0~兀的变化在谢昆诺夫单位圆上走 圈o
均匀直线阵的可见区随间距 d的变化是使 可见区范围大小改变 _,随均匀 递变相位a的变化是使 讯见区位置发生移动___0
用谢昆诺夫单位圆分析阵列中,其w=__eju__,其中u = kdcos日,可见区
范围(日=0~兀)在单位圆上有确定的区域,单元间距d变大,则可见区范围__变 大 ,改变均匀递变相位 a,则只改变可见区的 —相对位置 ,当
d=/2时,可见区的范围在单位圆上为 —一圈___0阵因子最大值在单位圆上 的位置为 正实轴与单位圆的交点 0
用Z变换分析阵列特性要求阵列单元间距为 等间距,激励相位为 均匀
递变___,激励幅度的 包络可Z变换_ _
用Z变换理论分析直线阵阵列特性要求阵列单元的间距 、激励相位和幅度
的包罗函数分别满足的条件是:(1) -
⑵ 、___)
道尔夫一切比雪夫阵列的特点有三点,
一是⑷_等副瓣电平
二是(5)_在相同副瓣电平、相同阵列长度下其主瓣宽度最窄
三是(6)_阵列单元数多副瓣电平又不是很低时,阵列两端单元的激励幅度将发
平面阵要实现单方向辐射的方法主要有两点,一是
14?构造线源泰勒方向图函数的基本函数是 sin(兀u)Nu ;构造圆口径泰勒方向
图函数的基本函数是 2J,
图函数的基本函数是 2J,(二u)/C u ),它是圆口径为
均匀
分布时方向图函
数。
构造线源贝利斯差方向图函数的基本函数是(23)_
兀ucos(代u)/[(u —1/2)(u +1/2)] 构造圆口径贝利斯方向图函数的基本函数是
2
(24)_兀uJ;3u)/[1 —(u/%) ] _
一个单元数为N,间距为d的均匀直线阵(人=1°, n =1,2,|l(, N),其阵因子
方向图函数的最大值为 其副瓣电平约为 d,设其最大指向9m
为阵轴与射线之间的夹角,则抑制栅瓣的条件为 大指向对应
的均匀递变相位?max = 。
一个在xy平面内的矩形栅格矩形边界的等间距平面阵,如果阵列中某个单
元的馈电幅度可分离,即对所有的m和n,均满足Imn =lxm I yn,相位在X和y 方向为均匀递变,则平面阵方向图函数可写作
o
一个在xy平面内的矩形栅格矩形边界的 NxXNy的均
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