TFT-Array工艺讲解学习.pptVIP

TFT-Array工艺;一、 TFT的基本构造 二、 ARRAY工艺介绍 三、 4Mask与5Mask工艺对比 四、 Array现场气液安全;工艺详细流程－D/I工程图解;工艺详细流程－C工程;工艺详细流程－PI工程;二、ARRAY工艺介绍;1-1、洗净;1-2、洗净方法及原理概述;溅射( Sputter )是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击，使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。 Sputter在工艺流程中的位置;2-2、Sputter;整体图（SMD-1200） 基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2） 搬送室(Tr) 成膜室（X1、X3） ;膜 层;3-2、PCVD;4-1、PR/曝光;4-2、InlinePR;4-3、曝光;4-4、显影;湿刻的目的 湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。 在TFT-LCD工艺中，主要是对Gate层（Mo/Al）、Drain层（Cr）及像素层（ITO）进行刻蚀。 ;5-2、湿刻设备概要;6-1、干刻; 反应气体在高频电场作用下发生等离子体（Plasma）放电。 等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。;6-3、干刻装置;1.剥离简介：刻蚀（干刻、湿刻）完 成后除去光刻胶的过程。 ;3 .各部分作用 ;