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CVD与薄膜工艺(2)章;Ch.2 化学气相淀积的化学原理和装置技术;2.1 CVD反应体系－（2）化学合成反应;化学合成反应示例_同一材料有多种合成路线;2.1 CVD反应体系－（3）化学输运反应;;化学输运反应和新型无机材料制备(Shafer H, Academic Press, N.Y.,1964,).;2.2 CVD 装置系统及其相关技术;2.2 CVD源的输运;2.3 CVD的反应器设计;单一固体混合源MOCVD (脉冲)液体入射MOCVD ………;1）从源物质的种类 ★卤化物CVD (1960-1970 年代） ★MOCVD （1974年，H.M. Manasevit(J.Cryst. Growth） 2）从体系操作压力 ★ 常压（大气压）CVD ★ LPCVD （高度均匀, PLASMA-CVD) 3）从淀积过程能量提供方式 ★电阻加热－热壁CVD， ★冷壁（感应加热）CVD ★ PLASMA（辅助、增强、激活）CVD（PCVD)l ★PHOTO-CVD ★ Laser（辅助、增强、激活）CVD（LCVD) 4）从淀积装置结构形式 ★开管气流CVD ★封管输运CVD ★桶式CVD ★热丝CVD ★单一混合源CVD ★液态源CVD;;;搅拌， 反应3-4 h;M(DPM)n的表征;;;Ce(DPM)4、Gd(DPM)3、Zr(DPM)4： 400-18