几种新型半导体发光材料的分析研究进展.docxVIP

几种新型半导体发光材料的研究进展 摘要：概述了三种新型半导体发光材料氮化镓、碳化硅、氧化锌各自的特性 ，评述了它 们在固态照明中的使用情况，及其研究现状，并对其未来的发展方向做出了预测。 关键词：LED发光二极管；发光材料； ZnO, SiC，GaN 1引言 在信息技术的各个领域中，以半导体材料为基础制作的各种各样的器件，在人 们的生活中几乎无所不及，不断地改变着人们的生活方式、思维方式，提高了 人们的生活质量，促进了人类社会的文明进步。它们可用作信息传输，信息存 储，信息探测，激光与光学显示，各种控制等等。 半导体照明是一种基于半导 体发光二极管新型光源的固态照明，是 21世纪最具发展前景的高技术领域之 一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。固态照明是 一种新型的照明技术，它具有电光转换效率高、体积小、寿命长、安全低电 压、节能、环保等优点。发展固态照明产业可以大规模节约能源，对有效地保 护环境，有利于实现我国的可持续发展具有重大的战略意义。从长远来看，新 材料的开发是重中之重。发光材料因其优越的物理性能、必需的重要应用及远 大的发展前景而在材料行业中备受关注。 本文综述了近几年来对ZnQ SiC，GaN三种新型半导体发光材料的研究进展。 2几种新型半导体发光材料的特征及发展现状 在半导体的发展历史上，1990年代之前，作为第一代的半导体材料以硅 包括 锗）材料为主元素半导体占统治地位 ?但随着信息时代的来临，以砷化镓 vGaAS为代表的第二代化合物半导体材料显示了其巨大的优越性 ?而以氮化物 包括SiC、ZnO等宽禁带半导体）为第三代半导体材料，由于其优越的发光特征 正成为最重要的半导体材料之一.以下对几种很有发展前景的新型发光材料做简 要介绍? 2.1氮化傢（GaN 2.1.1氮化镓的一般特征 GaN是一种宽禁带半导体（Eg=3.4 ev,自由激子束缚能为25mev,具有宽的 直接带隙，川族氮化物半导体InN、GaN和A lN的能带都是直接跃迁型，在性质 上相互接近，它们的三元合金的带隙可以从1.9eV连续变化到6.2eV,这相应于覆 盖光谱中整个可见光及远紫外光范围?实际上还没有一种其他材料体系具有如此 宽的和连续可调的直接带隙? GaN!优良的光电子材料，可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和 红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示，强的原子键，高的热导率和强的抗辐射 能力，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级 .GaN具有较高的电离度，在川-V 的化合物中是最高的（0.5或0.43.在大气压下,GaN-般是六方纤锌矿结构.它的 一个原胞中有4个原子,原子体积大约为GaAS勺一半.GaN是极稳定的化合物，又 是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700TC.文献⑴列出了纤锌矿GaF和闪锌矿GaN勺 特性比较： 纤锌矿GaN的特性（W 闪锌矿GaN的特性（Z 带隙能量 Eg(300k=3.39eVEg(6k~6k=3. 50eV Eg(300k=330 ± 0.02eVEg(300k=3.2eV 带隙温度系 数 dEg/(dT=- 6.0x 10-4eV/k 带隙压力系 数＜T=300k ） dEg/(dP=4.2 x 10-3eV/kbar 晶格常数 a=0.3189 nm a=0.5185 nm a=0.452nm ~4.55 nm a=0.454nm a=0. 531 nma=0.45nma=0.452nm ?土 0.05 nm GaN室温禁带宽度为3. 4 eV，是优良的短波长光电子材料，其发光特性一般是在 低温（2 K、12 K、15 K或77 K＞下获得的〔2,3］,文献〔4,5］较早地报道了低温下纤锌 矿结构GaN的荧光（PL＞谱，文献［6］报道了闪锌矿结构GaN的阴极荧光光谱。通 过在低温（2K＞下对高质量的GaN材料进行光谱分析，观察到A、B、C三种激子, 它们分别位于（3. 474 ± . 002＞ eV、（3.480 ± . 002＞ eV和（3.490 ± 002＞ eV ：7］ GaN勺光学特性,可在蓝光和紫光发射器件上应用?作为一种宽禁带半导体材 料，GaF能够激发蓝光的独特物理和光电属性使其成为化合物半导体领域最热的 研究领域，近年来在研发和商用器件方面的快速发展更是使得 GaNS相关产业充 满活力。当前,GaN基的近紫外、蓝光、绿光发光二极管已经产业化 ，激光器和 光探测器的研究也方兴未艾。 2.1.2氮化傢研究的发展现状 阻碍GaN研究的主要困难之一是缺乏晶格及热胀系数匹配的衬底材料 . SiC与GaN晶格匹配较好，失配率仅为3.5%,但SiC价格昂贵.蓝宝石与 GaN有14%的 晶格失配，但价格比SiC便宜,而且通过在其上面生长过渡层也能获得高质量的 Ga N薄膜，因而蓝