微型计算机原理及应用：半导体存储器.pptVIP

生物 1. 存储器的分类和概述 RAM SRAM DRAM ROM ROM PROM EPROM EEPROM (Flash Memory) 存储器引脚 地址线---- 确定存储器总量 确定起始地址和结束地址 数据线---- ? catalog listing 例如:1024*8 存储器引脚图 8位 EPROM 接口 高（奇）、低（偶）双排结构 High bank WRiteLow bank WRite BHE ＋ HWR WR ＋ LWR A0 80386SX存储器接口 苏州大学计算机科学与技术学院 第*页 微型计算机技术课程讲义 随机存储器RAM (Random Access Memory) 在使用时既能读出，又能写入的存储器。但关机断电后，其信息将丢失。 SRAM(Static RAM--静态RAM) 在电源接通的条件下,其数据可一直保留。不需要刷新。制造成本较高。 DRAM(Dynamic RAM--动态RAM) 制造成本较低，容量更大。但数据仅保留2ms~4ms，必须刷新。 只读存储器--ROM(Read-Only Memory) 在使用时只能读出(取信息)，而不能写入（存信息）的存储器。常用于存放程序。 EPROM(Erasable Programmable ROM--可擦除ROM) EEPROM(Electrically Erasable PROM--电可擦除ROM） Flash Memory—整块芯片电擦除 选择线---- chip select (CS) or chip enable (CE) 控制线----output enable (OE) or gate (G) read-write (R/W) or write enable (WE) and read enable (OE) 典型的半导体存储器芯片 1.SRAM 芯片6116： 2K*8 （6132：4K*8；6164：8K*8~~~~） 11位地址线（211=2048），8位数据线，3根控制线CE、WE、OE。 2.EPROM芯片2732：EEPROM芯片2832 4K*8（2716：2K*8~~~~） 12位地址线（212=4096），8位数据线，2根控制线CE、OE。 典型的半导体存储器芯片 3.DRAM 芯片2118： 16K*1 7位地址线，分行地址、列地址二次使用 （27*27 =16K），1位数据线，3根控制线RAS、CAS、WE。 刷新：分成128*128 的存储矩阵，当RAS=L（有效） 和WE=H（无效，内部完成），将根据A6~A0的值对相应内存进行一次刷新。 半导体存储芯片的发展： EDO DRAM(Extended Data Output DRAM--扩展数据输出) 始终将RAS选中的256位数据存放在锁存器中，不需要等待状态即可获得数据。比DRAM提高15%~20%性能。 SDRAM(Sychronous DRAM--同步DRM) 可以减少第2，3，4次从器件读出数据的时间。比EDO提高50%性能。 半导体存储芯片的发展： DDR SDRANM （Double Data Rate SDRAM—双倍数据速率SDRAM） 允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据。 DDR2 SDRAM 增加数据预取技术。 内存条 SIMM （Single –Inline Memory Module—单边连线存储模块）：30条引脚和72条引脚 DIMM （Dual –Inline Memory Module—双边连线存储模块）：168条引脚 关注！ 地址线连接：需要使用地址译码器，实现片选控制。 1全译码：全部地址线参与译码 2.部分译码：部分地址线参与译码，普遍使用（用与门、或门、138实现） 3.线选法：直接使用某根地址线（存储容量较小） 数据线连接：8位数据线芯片可以直接与CPU数据总线相连，低于8位的芯片需要若干片组合构成。例如：64K*1芯片，构成64KB存储器需要8片；32K*4芯片，构成32KB存储器需要2片。 控制线连接：片选CE来自于译码器，WE来自于WR，OE来自于RD。 Simple NAND Gate De