半导体器件应用基础：半导体器件－光电器件-光吸收与光辐射.pptVIP

半导体光电器件 半导体的光吸收与光辐射 半导体光吸收 ?半导体材料通常能强烈的吸收光能，具有数量级为105cm-1的吸收系数。材料吸收辐射能导致电子从低能级跃迁到较高的能级。对于半导体材料，自由电子和束缚电子的吸收都是很重要。 ?大量的实验表明，价带电子跃迁是半导体研究中最重要的吸收过程。当一定波长的光照射半导体材料时，电子吸收足够的能量，从价带跃迁导带。电子从低能带跃迁到高能带的吸收，相当于原子中的电子从能量较低的能级跃迁到能量较高能级的吸收。其区别在于：原子中的能级是不连续的，两能级间的能量差是定值，因而电子的跃迁只能吸收一定能量的光子，出现的是吸收线；而在晶体中，与原子能级相当的是一个由很多能级组成，实际上是准连续的能带，因而光吸收也就表现为连续的吸收带。 半导体光吸收 半导体光吸收-本征吸收 在绝对零度时，半导体的价带完全被电子占满，不可能发生带内的电子激发。但是当有一定能量的光子照射半导体材料时，价带的电子有可能吸收光子能量从价带跃迁到导带，而在价带中留下一个空位，形成电子-空穴对。这种电子从价带跃迁到导带形成的吸收过程为本征吸收。显然，要发生本征吸收，光子能量必须等于或大于禁带宽度Eg。Eg是发生本征吸收的最低能量限制。对于本征半导体材料，对应的本征吸收谱在低频方向必然存在一个低频限制?0，当频率小于?0，或波长大于相应的波长L0，称为半导体的本征吸收限，吸收系数