半导体器件应用基础：单结晶体管.pptVIP

负阻器件第一讲 负阻管的发明 1918年A. W. Hull最早提出负阻概念，并发明了第一个负阻器件“打拿负阻管”。 当Hull提出“负阻”概念的时候，曾遭到许多学者的反对、怀疑。他们认为“负阻”的概念“不符合能量守恒定律”。但是，很快从打拿负阻管的伏安特性曲线上人们清楚地看到：原来负阻器件的负阻特性仅是表现在器件的某段动态工作范围内；对于静态，它还是一个耗能元件，还是一个“正阻”。没有人再怀疑了，再反对了，相反，恰恰由于在负阻器件的这段动态工作范围，发现了许多其它器件所没有的特点，人们利用这些特点，找到了它的价值，找到了它的很多应用。今天，负阻器件、负阻电路已经广泛地应用于计算机、化工安全、公用汽车、邮电通讯等系统；在日常生活用品中，诸如照相机、录音机、电视机等也都有它的用武之地。 负阻器件发展 1958年有L. Esaki研制成功第一个固态负阻器件——隧道二极管（Tunnel diode）。由此，Esaki于1973年获得诺贝尔物理奖。 1963年，Gunn发现了耿氏效应，自此耿氏二极管诞生。 20世纪70年代以后，利用双极晶体管、JFET、MOSFET和一些电阻的组合产生新的的负阻器件。并制成集成负阻器件。 什么是负阻？What？ 负阻基本概念及特点 正电阻特点： 1.电流和电压呈正比关系。 2.电流通过电阻，电阻损耗功率，电阻会发热。 3.当有电流流过时，在电阻