陶瓷共晶封装LED结构形式对光电性能的影响.pdfVIP

摘要 摘要 白光发光二极管（LED ）器件已在通用照明领域获得了广泛的应用，我国也 已经成为 LED 照明产业最大的制造国、出口国和消费国，年产值近万亿元。然 而，部分高端器件目前仍然存在依赖进口的问题，其中高功率密度陶瓷共晶封装 LED 就是依赖进口的主要品类之一，原因在于其牵涉到诸多的科学和技术问题， 因此，国内产业和学术界需要对其进行深入研究，为其获得更为广泛的应用奠定 科技基础。本文研究了共晶芯片数及芯片位置对陶瓷共晶封装 LED 发光性能的 影响、共晶铜层厚度对光电性能影响以及分析了 i 型与 A 型、铜金属基板与陶瓷 基板对 LED 光电参数的影响。本文的主要研究内容和结论如下： (1)为了探究陶瓷封装 LED 的芯片数、芯片位置对器件发光性能的影响，本 文在 8 芯氮化铝陶瓷基板上分别共晶了 8 颗和 4 颗 45×45 mil 的倒装蓝光芯片， 在 6 芯氮化铝陶瓷基板上分别共晶了 6 颗和 3 颗同规格芯片，分别制备了蓝光和 白光器件。比较了蓝光光功率、白光光通量和白光色温随正向电流的变化，结果 表明：同规格陶瓷基板共晶芯片数减少一半后，其蓝光光功率和白光光通量明显 提高，其蓝光器件和白光器件的光饱和特性均得到显著改善，白光色温随电流的 变化程度也大幅度降低，其中热电分离金属层与芯片共晶位置匹配度较好的 8 芯陶瓷样品改善更为明显。比较了蓝光光功率、白光光通量、色温的热平衡过程， 结果表明：当芯片数量减少一半后，蓝光功率、白光通量和色温均能在更短的时 间内达到平衡并保持不变，热平衡后，白光器件光通量下降程度大于蓝光光强下 降幅度，每种白光样品均会色温升高，8 芯和 6 芯样品改变幅度大于 4 芯和 3 芯 样品。同时也发现：倒装蓝光芯片侧边围白胶后，会损失一定光功率。 （2 ）对不同厚度共晶铜层的倒装蓝光陶瓷封装LED 进行实验，通过以自变 量为电流、不同的共晶铜层厚度展开实验，对样品的部分光学特性进行数据对比 分析，研究不同电流、不同共晶铜层的变化引起的光学性能参数的改变。根据实 验结果我们得出，倒装蓝光陶瓷封装 LED 峰值波长在空间分布中是各向同性的。 共晶铜层为 40μm 厚度时的散热效果相对较好。40μm 和 50μm 厚的共晶铜层所 对应的半波宽值比较小，其颜色清晰度更高。40μm 对应的光通量和光电转换效 I 率最大。 (3)分析了 i 型与A 型两种EMC 封装结构形式与热电分离陶瓷封装形式 LED 的光电性能。因i 型灯珠其背面散热铜 pad 相比 A 型灯珠的面积小，使得其在大 电流下因热量得不到及时散出而造成热堵从而降低电光转换效率。陶瓷封装LED 尽管实现了热电分离，然而其散热性能比芯片直接共晶在铜基板上的 LED 热堵 要严重。因此高功率密度封装 LED 应该根据不同的芯片结构选择合适的封装形 式。 本研究可为高功率密度 LED 陶瓷共晶封装技术提供一定的实验基础和数据 支撑。 关键词：发光二极管；陶瓷封装；金锡共晶；光电性能； II 目录 目录 摘要 I Abstract II 第一章 绪论 1 1.1引言 1 1.2 LED概述 2 1.2.1蓝光LED 2 1.2.2钇铝石榴石YAG的结构特点 4 1.2.3LED发光原理 5 1.2.4白光LED的组合方式 7 1.2.5白光LED的主要性能参数 8 1.3 陶瓷荧光材料 10 1.4 LED封装形式 11 1.4.1 LED封装种类 11 1.4.2芯片级封装的由来与其用于LED的意义 12 1.4.3 LED封装陶瓷基板 13 1.4.4陶瓷共晶封装LED的结构 15 1.5 本论文的研究意义