电子封装专用设备-第2章--半导体芯片制造工艺与设备.pdf

目录 1 第 2 章 半导体芯片制造工艺与设备 2.1 概述 1. 固态半导体芯片的制造过程 半导体芯片的种类及结构形式有多种多样，但是制造过程基本相 同。以固态半导体芯片的制造过程为例，固态半导体器件制造大致经 历 5 个阶段：材料准备、晶体生长和晶圆准备、晶圆制造和分选、封装、 终测。 这五个阶段是独立的，分别作为半导体芯片制造的工艺过程，一 般由不同的企业独立完成。 （1）材料准备 材料准备是指半导体材料的开采并根据半导体标准进行提纯。硅 以沙子为原料，沙子通过转化可成为具有多晶硅结构的纯净硅。 （2）晶体生长和晶圆准备 在固态半导体器件制造的第二个阶段，材料首先形成带有特殊的 电子和结构参数的晶体。之后，在晶体生长和晶圆准备工艺中，晶体 被切割成被称为硅片（通常也被称为晶圆）的薄片，并进行表面 理。 2 如图2.1 所示，第二阶段工艺过程分为十个步骤 ：单晶生长、生成单晶 硅锭、单晶硅锭去头和径向研磨、定位边研磨、硅片切割、倒角、粘片、 硅片刻蚀、抛光、硅片检查。 图2.1 晶体生长和晶圆准备 晶体生长和晶圆准备设备包括单晶硅制造设备、圆片整形加工研 磨设备、切片设备、取片设备、磨片倒角设备、刻蚀设备、抛光设备、清 洗和各种检验设备等，最后是包装设备。 （3）晶圆制造 第三个阶段是晶圆制造，也叫集成 电路的制造或芯片制造，也就 是在硅片表面上形成器件或集成电路。在每个晶圆上可以形成数以千 计的 样器件。在晶圆上由分立器件或集成电路占据的区域称为芯片。 在封装之前还需要对晶圆上的每个芯片做测试，对失效芯片做出标记。 （4）封装、测试 后面两个阶段是封装和测试。封装是通过一系列的过程把晶圆上 3 的芯片分割开，然后将它们封装起来。最后对每个封装好的芯片做测 试，并剔除不良品，或分成等级。 从载有集成电路的晶圆到封装好的芯片，这一过程通常称为集成 电路的后道制造，需要经过的工序大致包括：晶圆测试，晶圆减薄和划 片，贴片与键合，芯片封装，成品芯片测试等工艺过程。半导体芯片的 封装、测试工艺过程及设备使用将在本书第 3 章做详细介绍。 2.晶圆制造工艺过程 半导体芯片制造即晶圆制造是一个非常复杂的过程。在半导体制 造工艺中 COMS 技术具有代表性，我们以 COMS 工艺为例说明半导 体制造的基本流程。 图2.2 为 COMS 工艺流程中的主要制造步骤，基 本工艺过程包括硅片氧化工艺、在氧化硅表面涂敷光刻胶、使用紫外 光曝光、曝光后显影露出氧化硅表面、刻蚀氧化硅表面、去除未曝光 的光刻胶、形成栅氧化硅、多晶硅淀积、多晶硅光刻及刻蚀、离子注入、 形成有源区、氮化硅淀积、接触刻蚀、金属淀积与刻蚀。 4 UV 光 掩模板 氧 曝光过 二氧化硅 光刻胶 的光刻胶 氧化硅 硅衬底 氧化 光刻胶 掩模板-硅片 曝光过的 光刻胶 (场氧) 涂胶 对准与曝光 光刻胶 显影 掺杂气体