技能培训 材料表面工程学 气相沉积技术.pptVIP

1. 气相沉积技术的分类; 薄膜生长模式： 1）岛状生长； 2）层状生长； 3）层状加岛状生长;1.物理气相沉积(PVD): 在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离子化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。主要包括真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀膜等。 PVD法已广泛用于机械、航空、电子、轻工和光学等工业部门中制备耐磨、耐蚀、耐热、导电、磁性、光学、装饰、润滑、压电和超导等各种镀层。随着PVD设备的不断完善、大型化和连续化，它的应用范围和可镀工件尺寸不断扩大，已成为国内外近20年来争相发展和采用的先进技术之一。;2.化学气相沉积(CVD) : 把含有构成薄膜元素的一种或几种化合物、单质气体供给基体，借助气相作用或在基体表面上的化学反应在基体上制得金属或化合物薄膜的方法。 主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。此外，还有有机金属化学气相沉积以及激光（电子束）化学气相沉积。 ;2.化学气相沉积(CVD) : 目前，CVD法在电子、宇航、光学、能源等工业中广泛用于制备化合物单晶，同质和异质外延单晶层，制备耐磨、耐热、耐蚀和抗辐射的多晶保护层。此外，CVD是大规模集成电路制作的核心工艺，已广泛用于制备半导体外延层、PN结、扩散源、介质隔离、扩散掩蔽膜等。;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;7.2 真空技术基础;5.1.1 真空蒸发镀膜;二、真空蒸镀方式和设备 （一）蒸发方式及蒸发源 真空蒸镀可采用的不同的加热方法，主要有：电阻加热法、电子束加热、高频感应加热法、激光加热法。;1.电阻加热法 用丝状或片状的高熔点金属做成适当形状的蒸发源，将膜料放入其中，接通电源，电阻加热膜料使之蒸发。 对蒸发源材料的基本要求是：高熔点，低蒸气压，在蒸发温度下不会与膜料发生化学反应或互溶，具有一定的机械强度，且高温冷却后脆性小等性质。常用钨、钼??钽、石墨、氮化硼等高熔点材料。按照蒸发材料的不同，可制成多股线螺旋形、U形、圆锥筐形、薄板形、舟形等。 ;电阻加热蒸发源;2.电子束加热 用电子枪发射出的高能电子束直接轰击蒸发物质的表面，使其蒸发。包括：发射电子的热阴极、电子加速极、阳极（镀膜材料）。 由于是直接在蒸发物质中加热，避免了蒸发物质与容器的反应和蒸发源材料的蒸发，故可制备高纯度的膜层。一般用于电子元件和半导体用的铝和铝合金，此外，用电子束加热也可以使高熔点金属（如W，Mo，Ta等）熔化、蒸发。;2.电子束加热;2.电子束加热;2.电子束加热;3.高频感应加热法 在高频感应线圈中放入氧化铝和石墨坩埚，蒸镀的材料置于坩锅中，通过高频交流电使材料感应加热而蒸发。 此法主要用于铝的大量蒸发，得到的膜层纯净而且不受带电粒子的损害。;?4.激光加热法 采用激光照射在膜料表面，使其加热蒸发。 由于不同材料吸收激光的波段范围不同，因而需要选用相应的激光器。例如用二氧化碳连续激光加热SiO、ZnS、MgF2、TiO2、Al2O3、Si3N4等膜料；用红宝石脉冲激光加热Ge、GaAs等膜料。 由于激光功率很高，所以可蒸发任何能吸收激光光能的高熔点材料，蒸发速率极高，制得的膜成分几乎与膜料成分一样。;激光陶瓷蒸镀示意图 ;四、合金蒸镀 根据蒸发镀的原理可知：通过采用单金属镀料或合金镀料我们就可在基体上得到单金属膜层或得到合金膜层。但由于在同一温度下，不同的金属具有不同的饱和蒸气压，其蒸发速度也不一样，蒸发速度快的金属将比蒸发速度慢的金属先蒸发完，这样所得的膜层成分就会与合金镀料的成分有明显的不同。;四、合金蒸镀 为解决这个问题，可采用以下方法： ①多源同时蒸镀法：采用多蒸发源，使各种金属分别蒸发，气相混合，同时沉积。利用该法还可以得到用冶炼方法所得不到的合金材料薄膜。 ②瞬源同时蒸镀法（闪蒸法）：采用单蒸发源，使加热器间断的供给少量热量，产生瞬间蒸发。;真空蒸镀设备： 用于进行真空蒸镀的装置，一般由四部分组成: （1）真空室：用于放置镀件，进行镀膜的场所； （2）真空（排气）系统：一般由机械泵、扩散泵、管道、阀门等组成； （3）蒸发系统：包括蒸发源，加热蒸发源的电气设备； （4）电气设备：用于测量真空系统，膜厚测量系统，控制台等。;蒸镀用途 蒸镀只用于镀制