硅太阳能电池工艺流程-精品教育文档.ppt

硅太阳电池制备工艺 制备工艺流程 ? 硅片清洗与去损 ? 去除表面损失和沾污 ? 硅片制绒 ? 形成表面陷光结构 ? 碱制绒与酸制绒 硅片清洗与制绒 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 Wavelength (nm) R e f l e c t a n c e smooth texture 绒面减少反射的机理 碱制绒 ? 各向异性腐蚀 ? 高质量的碱制绒 ? 均匀的金字塔 ? 高覆盖率 - 100% 最佳 ? 金字塔 (111) 晶面间形成尖锐交角 ? 平均反射率在 9% 左右 ? 酸制绒是各向同性腐蚀 ? 使用 HNO 3 和 HF 的混合液 ? 单晶和多晶硅都适用 ? 需要表面有缺陷和损伤 ? 可以与 H 2 O, H 3 PO 4 , H 2 SO 4 等混合使用 As-cut Alkali Acidic 酸制绒 ? 一般使用 CF 4 等离子体轰击表面 ? 优点 ? 低温，环境影响小 ? 易单面制绒 ? 硅片应力小 ? 缺点 ? 成本 ? 当 λ 500 nm 时， QE 降低 RIE ( 反应离子刻蚀 ) 制绒 ? 扩散方法 ? 沉积磷源在硅片表面 ? 高温加热 ? 磷扩散到硅基体中 ? 扩散过程需要折衷考虑的因素 ? 蓝光响应（死层） ? 串联电阻 ? 金属接触电阻 ? 温度 —— 杂质和应力等 ? 吸杂 磷扩散 ? 边缘刻蚀 ? 去除边缘 PN 结，防止上下短路 磷硅玻璃 磷硅玻璃 P 型硅 N 型硅 N 型硅 边缘刻蚀 P 型硅 N 型硅 N 型硅 去磷硅玻璃 ? 去磷硅玻璃 ? 用 HF 酸把上下表面的磷硅玻璃去除串联电阻 ? 有时与刻蚀边结同时进行 减反射膜 减反射 SiN x SiN x /SiO x Al 2 O 3 表面等离子体 ? 沉积深蓝色减反膜 SiNx:H 膜。 ? 折射率 ? 玻璃 ~1.5 硅 ~3.4 介质 ~2.2 ? 钝化作用 最常用 少子寿命较低的情况下， 寿命提高对电池效率的影响比较明显 少子寿命较高时，表面复合对效 率影响更加重要 为什么要钝化 ? 随着电池片的减薄，绝大多数硅片体寿命已经大于硅片厚度，提高 少子寿命对电池性能的提高已经比较有限； ? 同时，随着硅片厚度减薄，表面复合所占比重越来越大，表面钝化 显得更加重要。 低温快速热处理后， Si-SiN x 界面态密度减少 热处理前后 Si-SiN x 界面态密度 随表面势的变化 减反射膜的钝化作用 PPECVD 生长 SiNx 可钝化表面， 低温快速热处理可进一步 提高钝化效果 2 - - - S iH S i N H S iS i N H ? ? ? ? 350-500 ℃， Si-H 和 N-H 峰强均有下降 ? 600-800 ℃， 峰强进一步降低 H 释放，钝化 Si-SiN x 界面的悬挂键 H 从界面处逸出 快速热处理提高 SiN x 薄膜钝化的机理 热处理前后 SiN x 的傅里叶红外谱 背电极 背电极的印刷 ? 在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极 ? 浆料：银浆或银铝浆