探测器暗电流综述报告..pdfVIP

暗电流形成及其稳定性分析 综述报告 目录 光电探测器基本原理 2 1.1 PIN 光探测器的工作原理 2 1.2 雪崩光电二极管工作原理 3 暗电流的形成及其影响因素 4 2.1 暗电流掺杂浓度的影响 4 2.1.2 复合电流特性 5 2.1.3 表面复合电流特性 5 2.1.4 欧姆电流特性 5 2.1.5 隧道电流特性 6 2.2 结面积和压焊区尺寸对探测器暗电流的影响 8 2.3 腐蚀速率和表面钝化工艺对探测器暗电流的影响 10 2.4 温度特性对暗电流影响 11 暗电流稳定性分析小结 12 参考文献 13 光探测器芯片处于反向偏置时，在没有光照的条件下也会有微弱的光电 流，被称为暗电流，产生暗电流的机制有很多，主要包括表面漏电流、反向扩 散电流、产生复合电流、隧穿电流和欧姆电流。 。本文就将介绍光电探测器暗电 流形成及其稳定性分析，并介绍了一些提高稳定性的方案，讨论它们的优势与 存在的问题。 光电探测器基本原理 光电检测是将检测的物理信息用光辐射信号承载 , 检测光信号的变化 , 通过信 号处理变换 , 得到检测信息。光学检测主要应用在高分辨率测量、非破坏性分 析、高速检测、精密分析等领域 , 在非接触式、非破坏、高速、精密检测方面具 有其他方法无比拟的。因此 , 光电检测技术是现代检测技术最重要的手段和方法 之一 , 是计量检测技术的一个重要发展方向。 1.1 PIN 光探测器的工作原理 在 PD的 PN结间加入一层本征（或轻掺杂）半导体材料（ I 区），就可增 大耗尽区的宽度，减小扩散作用的影响，提高响应速度。由于 I 区的材料近似 为本征半导体，因此这种结构称为 PIN 光探测器。图（ a）给出了 PIN 光探测器 的结构和反向偏压时的场分布图。 I 区的材料具有高阻抗特性，使电压基本落 在该区，从而在 PIN 光探测器内部存在一个高电场区，即将耗尽层扩展到了整 个 I 区控制 I 区的宽度可以控制耗尽层的宽度。 PIN 光探测器通过加入中间层，减小了扩散分量对其响应速度的影响， 但过大的耗尽区宽度将使载流子通过耗尽区的漂移时间过长，导致响应速度变 慢，因此要根据实际情况折中选取 I 层的材料厚度。 1.2 雪崩光电二极管工作原理 雪崩光电二极管 , 具有增益高固有增益可达 , 灵敏度高、响应速度快的特 点, 因而可用于检测高速调制的脉冲位置调制光信号。雪崩光电二极管是利用雪 崩倍增效应而具有内增益的光电二极管 , 它的工作过程是在光电二极管的一结上 加一相当高的反向偏压 , 使结区产生一个很强的电场 , 当光激发的载流子或热激 发的栽流子进入结区后 , 在强电场的加速下获得很大的能量 , 与晶格原子碰撞而 使晶格原子发生电离 , 产生新的电子一空穴对 , 新产生的电子一空穴对在向电极 运动过程中又获得足够能量 , 再次与晶格原子碰撞 , 这时又产生新的电子一空穴 对 , 这一过程不断重复 , 使一结内电流急剧倍增