电子技术---半导体二极管及应用电路.ppt

第 1 章 半导体二极管及应用电路 势垒、扩散电容都与结面积 S 成正比 点接触二极管的结面积很小， C T 、 C D 都很小，只有 0.5 ～几 pF 。 面结合型二极管中的整流管，因结面积大， C T 、 C D 约在几 pF ～ 200pF 。 在等效电路中， C T 和 C D 是并联的，总的结电容为两 者之和，即 C = C T + C D 。 当 PN 结正偏时，扩散电容起主 要 作用， C ≈ C D ， 当 PN 结反偏时，势垒电容起主要作 用， C ≈ C T 。 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 1.3 二极管 1.3.1 二极管的基本结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的参数、型号及选择 1.3.4 二极管的分析方法 1.3.5 二极管的应用 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 1.3.1 二极管的基本结构 在 PN 结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有 点接触型、面接触型和平面型 三大 类。 (1) 点接触型二极管 PN 结面积小，结 电容小，用于检波和变 频等高频电路。 (a) 点接触型 二极管的结构示意图 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制 造工艺中。 PN 结面积可大 可小，用于高频整流和开 关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN 结面积大，用 于工频大电流整流电 路。 (b) 面接触型 (c) 平面型 阴极 引线 阳极 引线 P N P 型支持衬底 (4) 二极管的代表符号 (d) 代表符号 k 阴极 阳极 a 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 半导体二极管图片 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流， i = f ( u ) 之间的关系曲线 。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 – 25 – 50 i / mA u / V 正向特性 击穿电压 U (BR) 反 向 特 性 1.3.2 二极管的伏安特性 导通压降 : 硅管 0.6-0.7V 锗管 0.2-0.3V 死区电压 : 硅管 0.5V 锗管 0.1V 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线 硅管特性曲线 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 1. 正向特性 当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。 相应的电压叫 死区电压 。范 围称 死区。死区电压 与材料和温 度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗 管约 0.1 V 左右。 正向特性 死区 电压 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 当正向电压超过死区电压后， 随着电压的升高，正向电流迅速 增大。 第 1 章 半导体二极管及应用电路 2. 反向特性 – 0.02 – 0.04 0 – 25 – 50 I / mA U / V 反向特性 当电压超过零点几伏后， 反向电流不随电压增加而增大， 即饱和 , 称反向饱和电流 二极管加反向电压，反 向电流很小； 如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电 流会突然增大； 反向饱 和电流 这种现象称 击穿 ，对应电压叫 反向击穿电压 。 击穿 电压 U (BR) 3. 反向击穿特性 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 雪崩击穿： 雪崩击穿和齐纳击穿 形成电子空穴对（碰撞电离） 通过 PN 结的少子获得能量大 与晶体中原子碰撞使共价键的束缚 电荷挣脱共价键 PN 结反向高场强 载流子倍增效应 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 齐纳击穿 ： 形成电子空穴对 直接将 PN 结中的束缚电荷从共价键中拉出来 PN 结电场很大 很大反向电流 齐纳击穿需要很高的场强 ： 2 × 10 5 V/cm 只有杂质浓度高， PN 结窄时才 能达到此条件 —— 齐纳二极管 （稳压管） 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 电击穿 : 当反向电流与电压的乘积不超过 PN 结容许的 耗散功率时 , 称为电击穿，是可逆的。即反压降低时 , 管子可恢复原来的状态。 热击穿 : 若反向电流与电压的乘积超出 PN 结的耗散功率 , 则管子会因为过热而烧毁 , 形成热击穿 —— 不可逆。 热击穿和电击穿 雪崩击穿、齐纳击穿 —— 可逆 电气与电子工程学院 第 1 章 半导体二极管及应用电路 4. 伏安特性的数学表达式 (