材料分析测试技术-----------chapter2.ppt

一个电子对 X 射线的散射 ? 当入射线与原子内受核束缚 较紧的电子相遇，光量子能 量不足以使原子电离，但电 子可在 X 射线交变电场作用 下发生受迫振动，这样电子 就成为一个电磁波的发射源， 向周围辐射与入射 X 射线波 长相同的辐射 --- 称相干散 射 . ? X 射线射到电子 e 后，在空间 一点 P 处的相干散射强度为 I ? 0 2 e 2 1 ? cos 2 ? I e ? 2 ( ) ( ) R 4 ? mc 2 2 2 质子或原子核对 X 射线的散射 ? 若将汤姆逊公式用于质子或原子核，由于 质子的质量是电子的 1840 倍，则散射强度 2 只有电子的 1 ／ (1840) ，可忽略不计。所 以物质对 X 射线的散射可以认为只是电子的 散射。 ? 相干散射波虽然只占入射能量的极小部分， 但由于它的相干特性而成为 X 射线衍射分析 的基础。 一个原子对 X 射线的衍射 ? 当一束 x 射线与一个原子相遇， 原子核的散射可以忽略不计。 原子序数为 Z 的原子周围的 Z 个电子可以看成集中在一点， 它们的总质量为 Zm ，总电量 为 Ze ，衍射强度为： I a ? Z e ? ? I 0 2 2 4 ? Z m ? R c 4 ? Z I e 2 ? 原子中所有电子并不集中在一 点，他们的散射波之间有一定 的位相差。则衍射强度为： ? fZ f--- 原子散射因子 I a ? f I e 2 一个原子对 X 射线的衍射 ? 原子中的电子在其周围形成 电子云，当散射角 2θ=0 时， 各电子在这个方向的散射波 之间没有光程差，它们的合 成振幅为 Aa=ZAe ； ? 当散射角 2θ≠0 时，如图所示， 观察原点 O 和空间一点 G 的 电子，它们的相干散射波在 2θ 角方向上有光程差。 ? 设入射和散射方向的单位矢 ? ? Gn ? Om ? r ? S ? r ? S 0 ? r ? S ? S 0 ? 量分别是 S 0 和 S ，位矢 则其相位差 Φ 为 ： GO ? r 2 ? 2 ? ? ? ( Gn ? Om ) ? r ( S ? S 0 ) ? ? 原子对 X 射线的衍射 ? 对Φ积分可求合成振幅 Aa ， 原子散射因子 f 为 下式 ? f 的大小受 Z ，λ，θ影 响（见右图） A a 一个原子中所有电子相 干散射波的合成振幅 f ? ? A e 一个电子相干散射波的 振幅 则 f ? ? ? ( r ) e i ? dV v ( 2 ? 16 ) 一个晶胞对 X 射线的衍射 ? 简单点阵只由一种原子组成，每个晶胞只有一个 原子，它分布在晶胞的顶角上，单位晶胞的散射 强度相当于一个原子的散射强度。 ? 复杂点阵晶胞中含有 n 个相同或不同种类的原子， 它们除占据单胞的顶角外，还可能出现在体心、 面心或其他位置。 ? 复杂点阵单胞的散射波振幅应为单胞中各原子的 散射振幅的矢量合成。由于衍射线的相互干涉， 某些方向的强度将会加强，而某些方向的强度将 会减弱甚至消失。这种规律称为系统消光（或结 构消光）。 晶胞中原子对 X 射线的散射波的 合成振幅 ? 原子间的相位差 : ? j ? 2 ? ? F HKL ----- 称之结构因子 2 ? 合成振幅 : A b ? A e ( f 1 e i ? 1 ? ? j ? 2 ? r j ? g ? 2 ? ( Hx j ? Ky j ? Lz j ) ? f 2 e i ? 2 ? ? ? f n e ) ? A e ? f j e i ? n j ? 1 n i ? j ? 定义结构振幅为 F F HKL 一个晶胞的相干散射波 振幅 A b ? ? 一个电子的相干散射波 振幅 A e F HKL ? ? f j e j ? 1 n i ? j 结构振幅的计算 ? 结构振幅为 : n F HKL ? ? f j e j ? 1 n i ? j ? 可将复数展开成三角函数形式 e ? cos ? ? i sin ? N i ? ? 则 F HKL ? ? f j [cos 2 ? ( Hx j ? Ky j ? Lz j ) ? i sin 2 ? ( Hx j ? Ky j ? Lz j )] j ? 1 F HKL ? F HKL F 2 ? HKL ? [ ? f j cos 2 ? ( Hx j ? Ky j ? Lz j )] j ? 1 n 2 2 ? [ ? f j sin 2 ? ( Hx j ? Ky j ? Lz j )] j ? 1 ? 由此可计算各种晶胞的结构振幅 结构振幅的计算 1 、简单点阵 ? 单胞中只有一个原子，基坐标为（ 0 ， 0 ， 0 ），原 子散射因数为 f ，根据式（ 2-20 ）： 2 2 2 2 F HKL