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石 日 石 石 日 日 指導教授：王文峰 學 生：林俊榮 學 號： 班 級：奈米四甲 Outline ? 磊晶之目的 ? 磊晶之製程 ? 磊晶之設備 磊晶之目的 ? 何謂磊晶 ? 磊晶生長 (Epitaxy) ? 同質磊晶 ? 異質磊晶 磊晶成長是為了提升元件性能，導引出晶圓單晶無法達到的新功能。 半導體能隙 晶格常數 磊晶之製程 ? 氣相磊晶 [Vapour Phase Epitaxy , VPE] ? 液相磊晶 [Liquid Phase Epitaxy , LPE] ? 分子束磊晶 [Molecular Beam Epitaxy , MBE] 是在單晶襯底的生長界面上，從已經飽和溶質的溶液中定向生長出 晶體薄層的方法 利用化學反應的方式，使得氣體反應物生成固態生成物，並沉積在晶 片表面的一種薄膜沉積技術。 在極高的真空狀況 (~10 -10 torr) ，以一種或多種原子或分子的熱束和結晶表面反應而完成。 分子束磊晶法是一種蒸發過程而非化學氣相沉積。 磊晶生長速率 ? 磊晶生長速率與原料氣體的種類、溫度、 壓力及濃度等因素有關 氣相磊晶 桶型反應器 常壓系統 ( 一大氣壓 ) Si 晶圓是放置於渡 SiC 的石墨感測器上。 晶圓朝反應器底部方向 突出，以增加反應氣體 流於晶圓表面的均勻度 氣相磊晶 CVD 原理 氣相磊晶 反應氣體傳送到反應器磊晶生長區域內 ↓ 反應產物傳送到晶片表面 ↓ 反應產物被晶面表面吸收 ↓ 在晶面表面發生化學反應 表面擴散、晶格崁入 ↓ 由晶面表面釋出殘留氣體及副產物 ↓ 將殘留氣體及副產物傳送到主氣流中 ↓ 將殘留氣體及副產物傳送到反應器外 液相磊晶 分子束磊晶 磊晶之設備 氣相 MOCVD
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