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微电子工艺实验 一、Athena 仿真流程 ——建立仿真网格，并显示图形化结果。 1）均匀网格 line x loc = 0.0 spacing=0.1 line x loc = 0.1 spacing=0.1 line y loc = 0 spacing = 0.20 line y loc = 2.0 spacing = 0.20 2 ）非均匀网格 line x loc = 0.0 spacing=0.02 line x loc = 1 spacing=0.1 line y loc = 0 spacing = 0.02 line y loc = 2.0 spacing = 0.20 二、请完成下面的实例，并在每条命令后面注释说明，并分析模拟结果。 go Athena //启动工艺仿真器 Athena #TITLE:Simple Boron Anneal //硼的简单热退火工艺 #the x dimension denition //横向 X 网格定义 line x loc=0.0 spacing=0.1 line x loc=0.1 spacing=0.1 //横向 X 的范围为 0-0.1um,空间密度为 0.1 #the vertical denition //纵向 Y 网格定义 line y loc=0 spacing=0.02 line y loc=2.0 spacing=0.20 //纵向 Y 的范围为 0-2.0um,空间密度为 0.02-0.20 #initialize the mesh //仿真初始化 init silicon c.phos=1.0e14 //衬底定义，硅衬底，含磷浓度 1*10^14 每立方厘米 #perform uniform boron implant //硼离子注入 implant boron dose=1e13energy=70 //硼离子的注入剂量为 1*10^13 每立方 厘米，离子能量为 70Kev #perform diffusion //退火工艺 diffuse time=30 temperature=1000 //欲淀积 时间为 30 分钟，温度为 1000 摄氏度 extract name=”xj” xj silicon mat.occno=1 x.val=0.0 junc.occno=1 //提取 X=0.1um 处的结深 #plot the nalprole //标绘出 N 极 Tonyplot //显示当前结构 #save the structure //保存结构到文件 structure outle=boron_implant.str //结构文件以“str ”为后缀名 quit //退出仿真器 分析模拟结果： 如图所示，横轴表示纵向的深度，纵轴表示杂质浓度，竖线为纵向网格线，浓度 曲线是由网格线处的结果连接起来得到的，因此网格定义对仿真结果影响很大。 由于衬底杂质是磷，注入的是硼，所以就会形成结，提取得到的结深Xj 为 0.700554um. 三、淀积，并