陶瓷基板地现状与发展分析报告.docxVIP

实用文档 实用文档 文案大全 文案大全 陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性， 广泛应用于功率电子、电子封装、混 合微电子与多芯片模块等领域。本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发 展。 陶瓷基板材料以其优良的导热性和气密性， 广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与 多芯片模块等领域。本文简要介绍了目前陶瓷基板的现状与以后的发展。 1、 塑料和陶瓷材料的比较 塑料尤其是环氧树脂由于比较好的经济性， 至目前为止依然占据整个电子市场的统治地 位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显 然不适合，即使在环氧树脂中添加大量的有机溴化物也无济于事。 相对于塑料材料，陶瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色， 其电阻高，高频特性突出， 且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。 在电子线路的设计和制造非常 需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、 薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝 缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。 2、 各种陶瓷材料的比较 AI2O3 到目前为止，氧化铝基板是电子工业中最常用的基板材料，因为在机械、热、 电性能上 相对于大多数其他氧化物陶瓷， 强度及化学稳定性高， 且原料来源丰富，适用于各种各样的 技术制造以及不同的形状。 BeO 具有比金属铝还高的热导率， 应用于需要高热导的场合， 但温度超过300C后迅速降低， 最重要的是由于其毒性限制了自身的发展。 AIN AIN有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与 Si相匹配的膨胀 系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响， 只有对材料和工艺进行 严格控制才能制造出一致性较好的 AIN基板。目前大规模的 AIN生产技术国内还是不成熟， 相对于AI2O3，AIN价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的瓶颈。综合以上原因，可以 知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能，在目前微电子、功率电子、混合微电子、功率 模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。 3、 陶瓷基板的制造 制造高纯度的陶瓷基板是很困难的， 大部分陶瓷熔点和硬度都很高， 这一点限制了陶瓷 机械加工的可能性，因此陶瓷基板中常常掺杂熔点较低的玻璃用于助熔或者粘接， 使最终产 品易于机械加工。AI2O3、BeO AIN基板制备过程很相似，将基体材料研磨成粉直径在几微 米左右，与不同的玻璃助熔剂和粘接剂(包括粉体的 MgO CaO混合，此外还向混合物中 加入一些有机粘接剂和不同的增塑剂再球磨防止团聚使成分均匀， 成型生瓷片，最后高温烧 结。目前陶瓷成型主要有如下几种方法： ?辊轴轧制 将浆料喷涂到一个平坦的表面，部分干燥以形成黏度像油灰状的薄片，再 将薄片送入一对大的平行辊轴中轧碾得到厚度均匀的生瓷片。 ?流延浆料通过锋利的刀刃涂复在一个移动的带上形成薄片。与其他工艺相比这是一 种低压的工艺。 ?粉末压制 粉末在硬模具腔内并施加很大的压力(约 138MPa下烧结，尽管压力不均 匀可能产生过度翘曲但这一工艺生产的烧结件非常致密，容差较小。 ?等静压粉末压制这种工艺使用使用周围为水或者为甘油的模及使用高达 69MPa的压 力这种压力更为均匀所制成的部件翘曲更小。 ?挤压 浆料通过模具挤出这种工艺使用的浆料黏度较低，难以获得较小容差，但是这 种工艺非常经济，并且可以得到比其他方法更薄的部件。 4、基板种类及其特性比较 现阶段较普遍的陶瓷散热基板种类共有 HTCC LTCG DBG DPC四种，其中HTCCR于较 早期发展的技术，但由于烧结温度较高使其电极材料的选择受限， 且制作成本相对昂贵， 这 些因素促使LTCC的发展，LTCC虽然将共烧温度降至约850C，但缺点是尺寸精确度、产品 强度等不易控制。而 DBC与 DPC则为国内近几年才开发成熟，且能量产化的专业技术， DBC 是利用高温加热将 AI2O3与Cu板结合，其技术瓶颈在于不易解决 AI2O3与Cu板间微气孔产 生之问题，这使得该产品的量产能量与良率受到较大的挑战， 而DPC技术则是利用直接镀铜 技术，将Cu沉积于AI2O3基板之上，其工艺结合材料与薄膜工艺技术，其产品为近年最普 遍使用的陶瓷散热基板。然而其材料控制与工艺技术整合能力要求较高，这使得跨入 DPC 产业并能稳定生产的技术门槛相对较高。 4.1 LTCC ( Low-Temperature Co-fired Ceramic ) LTCC又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先将无机的氧化铝粉与约 30%~50喲玻璃 材料加上有机黏结剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮成片状， 再经 由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的生胚， 然后依各层的设计钻导通孔，作为各层 讯号的