氮化铝陶瓷的烧结简介及调控(毕业论文).docxVIP

学海无涯苦作舟! 学海无涯苦作舟! 目录 TOC \o 1-5 \h \z 摘要 2 \o Current Document ABSTRACT 3 \o Current Document 第一章：绪论 4 \o Current Document 氮化铝陶瓷的基本性质 4 \o Current Document 1.2氮化铝陶瓷的导热机理 7 氮化铝热导率的影响因素 8 1.2.2获得高热导率氮化铝陶瓷的方法 10 \o Current Document 1.3氮化铝陶瓷的制备工艺 11 氮化铝粉末的制备及方法 11 \o Current Document 氮化铝坯体的成型 13 \o Current Document 氮化铝陶瓷的烧结 15 \o Current Document 1.4 氮化铝陶瓷的应用和发展 17 氮化铝陶瓷的应用 17 氮化铝陶瓷的发展 18 \o Current Document 1.5本文的研究方向 19 \o Current Document 第二章：实验 21 \o Current Document 实验原料及仪器设备 21 原料 21 仪器设备 21 \o Current Document 2.2实验步骤 22 \o Current Document 氮化铝陶瓷的性能测试 23 体积密度测试 23 XRD 测试 23 导热性能测试 24 介电性能测试 24 2.3.5微观结构分析 24 \o Current Document 第三章：实验数据处理分析 25 \o Current Document 3.1烧结助剂对氮化铝陶瓷体积密度的影响 26 GaF 2- Sm 2Q体系的烧结助剂对氮化铝体密度的影响 26 GaF 2- Nd 2Q体系复合烧结助剂对氮化铝体密度的影响 28 \o Current Document 3.2保温时间对氮化铝陶瓷性能的影响 28 保温时间对氮化铝陶瓷致密度的影响 28 保温时间对氮化铝陶瓷介电性能的影响 30 \o Current Document 第四章总结与展望 33 \o Current Document 总结 33 \o Current Document 4.2展望 33 致谢 错误！未定义书签。 \o Current Document 参考文献 34 \o Current Document 附录 37 AIN陶瓷以其高的热导率、低的介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优点， 在模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、大功率集成电路等电子器件上的应 用日益广泛。然而AIN共价性强，烧结非常困难，通常使用稀土金属氧化物和碱 土金属氧化物添加剂形成液相来促进烧结。本文研究了添加不同复合烧结助剂氮 化铝陶瓷低温常压烧结工艺。详细研究了所添加的复合烧结助剂和保温时间对 AIN陶瓷性能的影响。 本文研究了常压下的烧结工艺和不同复合助剂对 AIN陶瓷性能的影响。以高 氮化铝粉体作为原料，采用 Nd2O3、CaO 丫2O3、CaF?、Li20、LiYO 2、Sm2O3 为烧结助剂，样品经先干压再等静压成型，在氮气气氛保护下，经 1600C温度下 烧结，并设定了 2h、4h、6h、8h不同的保温时间，获得了氮化铝陶瓷样品。测定 了试样的收缩率、体积密度、介电常数等性能；通过扫描电镜观察了试样的微观 形貌。结果表明，添加复合烧结助剂中,加入CaF2-Y2O3均有助于氮化铝陶瓷的致 密化，能得到晶粒细小、均匀的氮化铝陶瓷。添加 3.53%Y2O3-0.5%CaF2-0.47%Li2O,在 1600E 保温 6小时，得到收缩率为 18.6%,体 密度为3.2499 g/cm3的氮化铝样品。 关键词：氮化铝陶瓷烧结助剂常压烧结 ABSTRACT Aluminum nitride is being used more widely in electronic device for module circuit 、silicon con trolled rectifier 、 high power tran sistor and high power in tegrated circuitbecause of its high thermal con ductivity, low dielectric con sta nt and thermal expa nsion coefficie nt close to that of silic on .However, A1N is difficult to sin ter due to its hig