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模拟电子电路 电气工程学院 电工电子基地 1.2 PN 结与二极管 PN 结 半导体二极管 P 区 N 区 扩散运动 内电场 内电场 阻碍多子 向对方的 扩散 即 阻碍扩散运动 同时 促进少子 向对方 漂移 即 促进了漂移运动 扩散运动 = 漂移运动时 达到 动态平衡 Sect PN 结的形成 Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 载流子 从 浓度 大 向浓度 小 的区域 扩散 , 称 扩散运动 形成的电流成为 扩散电流 内 电 场 阻 止 多 子 扩 散 载流子浓度差 多子扩散 杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 扩散运动 多子从浓度大向浓度小的区域运动，称为扩散。 扩散运动产生扩散电流。 漂移运动 少子向对方运动，称为漂移。 漂移运动产生漂移电流。 动态平衡 扩散电流 = 漂移电流， PN 结内总电流为 0 。 PN 结 稳定的空间电荷区， 又称为高阻区、 耗尽层， … Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 ? V ? PN 结的接触电位 ? 内电场的建立，使 PN 结中产生电位差。 从而形成接触电位 V ? ? 接触电位 V ? 决定于材料及掺杂浓度 锗： V ? =0.2 ～ 0.3 硅： V ? =0.6 ～ 0.7 Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 1. PN 结加正向电压时的导电情况 外电场方向与 PN 结内电场方 向相反，削弱了内电场。内电场对 多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电 流加大。扩散电流远大于漂移电流 ，可忽略漂移电流的影响。 PN 结呈现低电阻。 P 区的电位高于 N 区的电位，称为加 正向电压 ，简称 正偏 ； 内 外 Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 PN 结的单向导电性 2. PN 结加反向电压时的导电情况 外电场与 PN 结内电场方向相 同，增强内电场。内电场对多子扩 散运动阻碍增强，扩散电流大大减 小。少子在内电场的作用下形成的 漂移电流加大。 PN 结呈现高电阻。 P 区的电位低于 N 区的电位，称为加 反向电压 ，简称 反偏 ； 内 外 Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 结论： PN 结具有单向导电性。 PN 结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流； PN 结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流。 Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 式中 I s ? 饱和电流 ; V T = kT/q ? 等效电压 k ? 波尔兹曼常数； T =300K （室温）时 V T = 26mV PN 结电流方程 由半导体物理可推出 ： ) 1 ( T S ? ? V v e I I 当加反向电压时： 当加正向电压时： ( v V T ) T S V v e I I ? S I I ? ? Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识 势垒电容 C B 由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使 PN 结上压降发生变 化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当 PN 结中存储的电荷量也 随之变化，犹如电容的充放电。 PN 结电容效应 Sect Ch1 Semiconductor… \ 1.2 PN junc… \ … 基础知识