FlashMLC和SLC制程技术比较.docxVIP

和制程技术比较 产品可以分为三大架构，分别是单层式储存格 （ ；） ，包括三星电子、海力士（）、美光 （）以及东芝都是此技术使用者，第二种则是多层式储存格（ ；） ，目前有东芝、瑞萨（）使 用，不过三星电子将在第四季推出相关产品，最后则是英飞凌（）与赛芬半导体（ ）合资利用 技术所共同开发的多位储存格（ ；）。 是英特尔（）在年月最先开发成功的，其作用是将两个位的信息存入一个浮动栅（ ，闪存 存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（）的电荷，透过内存储格的电压控制精准读 写，假设以种电压控制、 个晶体管可存取 的数据， 若是控制种电压就可以存取 的数据， 使 的 容量大幅提升， 类似的技术， 通过精确控制浮动栅上的电荷数量， 使其呈现出种不同的存储状态， 每种状态代表两个二进制数值（从到）。 当然不光是型闪存在使用， 东芝在年月推出第一款型的 ，并接续年月推出采用技术的与 ， 显然这对于本来就以容量见长的闪存更是如虎添翼。根据 研究，东芝利用 技术所开发出来的， 其面积为 。 至于技术与相同，但在浮置闸极 （ ）与源极 （ ） 之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对 浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除， 藉由这样的方式， 便可 储存个个信息位， 这种技术的单一位细胞方式能提供快速的程序编程与读取， 不过此技术受限于 低硅效率 （ ） 的问题，必须要藉由较先进的流程强化技术 （ ） ，才能向上提升制程技术。 将上述所言，做一个比较，架构是和两个充电值，而架构可以一次储存个以上的充电值， 因 此架构可以有比较好的储存密度， 再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量， 而无须 额外投资生产设备，可以享有成本与良率的优势。 不过架构有着让使用者很难容忍的缺点， 就是使用寿命较短， 其次架构只能承受约万次的存 取，远低于架构的万次。至于存取速度，架构比架构要快速三倍以上， 加上架构对于电力的消耗 较多， 因此使用者若是考虑长久使用、 安全储存数据以及高速的存取速度等要求， 恐怕会改用架 构。 SLC VS.MLC Single Level Cell (SLC) 1 bitDrain Single Level Cell (SLC) 1 bit Drain Floating gate Storage Layer Source Multilevel Level Cell (SLC) 2 bit Floating gate Storage Layer Source Drain