模拟集成电路设计试卷.pdfVIP

1、与其它类型的晶体管相比，MOS 器件的尺寸很容易按____比例____ 缩小，CMOS 电路被证明具有_较低__ 的制造成本。 2、 放大应用时，通常使 MOS 管工作在_ 饱和_ 区，电流受栅源过驱动 电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___ （较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___ 电压缓冲器___ 的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以 做成___恒定 电流源_ 。 6、由于_尾 电流源输出阻抗为有限值_或_ 电路不完全对称_等因素，共 模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下，_ 电流镜_结构可以精确地复制 电流而不受工艺和温度 的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其 改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极 点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容 Cin 为__ CF （1－A）__ 。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__ （正比、反比）。 二．名词解释（每题 3 分，共 15 分） 1、阱 1 解：在 CMOS 工艺中，PMOS 管与 NMOS 管必须做在同一衬底上，其中某 一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫 做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，VGS=VTH 时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏 电流， 甚至当 VGSVTH 时，ID 也并非是无限小，而是与 VGS 呈指数关系，这种效应叫 亚阈值导电效应。 3、沟道长度调制 解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是 说，L 实际上是 VDS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。 4、等效跨导 Gm  I D 解：对于某种具体的 电路结构，定义 为电路的等效跨导，来表示输入  V in 电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理 解：如果将图（a）的电路转换成图（b）的电路，则Z =Z/(1-A )，Z =Z/(1-A -1)， 1 V 2 V 其中 A =V /V 。这种现象可总结为米勒定理。 V Y X 6、N 阱: 解：CMOS 工艺中，PMOS 管与 NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为 P 型，则 PMOS 管要做在一个 N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反 2 的 N 型“局部衬底”叫做 N 阱。 7、有源电流镜 解：像有源器件一样用来处理信号的 电流镜结构叫做有源 电流镜。 8、输出摆幅 解:输出电压最大值与最小值之间的差。 三．画图题（每题 8 分，共 16 分） 1、以 V 作为参数画出 NMOS 晶体管的 I ~V 曲线。 DS D GS 要 求 ： （ 1） 画 三 条 曲 线 ， VDS 的 值 分 别为 VDS1 、 VDS2 、 VDS3 ， 其 中 VDS1VDS2VDS3 ；有适当的分析推导过程，并标出曲线中关键转折点的坐标。 （2）画两条曲线，VDS 的值分别为 VBS=0、VBS0 ；标出曲